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公开(公告)号：CN110534880A
公开(公告)日：2019-12-03
申请号：CN201910833983.X
申请日：2019-09-04
Applicant: 暨南大学
Abstract: 本发明公开一种单个纳米颗粒光散射电调控天线及制备、电调控的方法，利用飞秒液相激光熔蚀单晶硅片制备出了尺寸不同的Si纳米颗粒，再利用无掩模光刻和聚焦离子束刻蚀结合，制备出叉指电极，然后通过Si纳米颗粒的自组装技术，将Si纳米颗粒搭载在两叉指电极中间，形成电调控天线，通过在两叉指电极两端施加电压，便可测得单个Si纳米颗粒光散射的变化。本发明制备方法能够简易快速地制备Si纳米颗粒并实现电调控天线的自组装，所制备的Si纳米颗粒电调控天线具有纳米尺度，集成多个单个Si纳米颗粒，采用该Si纳米颗粒电调控天线能对单个Si纳米颗粒光散射进行精确的调控，该调控方法能够引起光学响应的明显变化，调控幅度更大。
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公开(公告)号：CN110534880B
公开(公告)日：2020-06-26
申请号：CN201910833983.X
申请日：2019-09-04
Applicant: 暨南大学
Abstract: 本发明公开一种单个纳米颗粒光散射电调控天线及制备、电调控的方法，利用飞秒液相激光熔蚀单晶硅片制备出了尺寸不同的Si纳米颗粒，再利用无掩模光刻和聚焦离子束刻蚀结合，制备出叉指电极，然后通过Si纳米颗粒的自组装技术，将Si纳米颗粒搭载在两叉指电极中间，形成电调控天线，通过在两叉指电极两端施加电压，便可测得单个Si纳米颗粒光散射的变化。本发明制备方法能够简易快速地制备Si纳米颗粒并实现电调控天线的自组装，所制备的Si纳米颗粒电调控天线具有纳米尺度，集成多个单个Si纳米颗粒，采用该Si纳米颗粒电调控天线能对单个Si纳米颗粒光散射进行精确的调控，该调控方法能够引起光学响应的明显变化，调控幅度更大。
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公开(公告)号：CN110564417B
公开(公告)日：2022-06-07
申请号：CN201910833975.5
申请日：2019-09-04
Applicant: 暨南大学
IPC: H01L31/0232 , C09K11/68
Abstract: 本发明公开了一种悬浮二维材料光致发光的光电调控器及制备、调控方法，利用化学气相沉积系统在SOI衬底上镀30nm氧化层，并利用聚焦离子束刻蚀技术在SOI衬底上刻蚀覆盖有氧化层的Si纳米条，再利用干法转移将单层或双层WS2扣在Si纳米条上方，然后在WS2上定点添加的源漏电极，在Si纳米条刻蚀区域镀金作为栅极，形成光电调控器。本发明制备方法简单快捷，稳定性高，所制备的光电调控器厚度非常薄，具有很高的响应速度，通过光电调制器可以观察到了对单层和双层WS2光致发光的反常调控，增强WS2的光致发光的同时，引入静电掺杂和应力机制。
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公开(公告)号：CN110564417A
公开(公告)日：2019-12-13
申请号：CN201910833975.5
申请日：2019-09-04
Applicant: 暨南大学
IPC: C09K11/68
Abstract: 本发明公开了一种悬浮二维材料光致发光的光电调控器及制备、调控方法，利用化学气相沉积系统在SOI衬底上镀30nm氧化层，并利用聚焦离子束刻蚀技术在SOI衬底上刻蚀覆盖有氧化层的Si纳米条，再利用干法转移将单层或双层WS2扣在Si纳米条上方，然后在WS2上定点添加的源漏电极，在Si纳米条刻蚀区域镀金作为栅极，形成光电调控器。本发明制备方法简单快捷，稳定性高，所制备的光电调控器厚度非常薄，具有很高的响应速度，通过光电调制器可以观察到了对单层和双层WS2光致发光的反常调控，增强WS2的光致发光的同时，引入静电掺杂和应力机制。
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