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公开(公告)号：CN117705762A
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202311589290.3
申请日：2023-11-27
Applicant: 暨南大学
Abstract: 本发明涉及光电子技术领域，为基于晶体电光效应的超高精度折射率变化测量系统与方法，包括激光器、干涉装置，干涉装置包括第一分束棱镜、第一光束处理组件、第二光束处理组件、晶体和第二分束棱镜；第一分束棱镜将激光器出射的光束分为两路，第一路光束入射到第一光束处理组件后形成平面光，第二路光束入射到第二光束处理组件后形成亚波长尺度的无衍射光束；无衍射光束经晶体后在第二分束棱镜与平面光合束形成具有叉形条纹的干涉光斑，且叉形条纹随施加在晶体上电压的变化而改变。本发明利用晶体的电光效应，调节施加在晶体上的电压，再利用设计的干涉装置收集干涉光斑，观察光斑叉形方向的变化，实现对晶体折射率变化的超高精度测量。
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公开(公告)号：CN115202175B
公开(公告)日：2023-06-13
申请号：CN202210638521.4
申请日：2022-06-08
Applicant: 暨南大学
Abstract: 本发明提出一种基于光场编码的超薄超表面结构及其制备方法，包括以下步骤：设置期望的物光光场，生成对应物光光场的相位掩膜版；设置参考光，计算物光光场与参考光的干涉图样；对干涉图样进行二元编码，得到包含物体光相位及振幅信息的二元掩膜表达式；利用二元掩膜表达式和菲涅尔滤波器进行数值模拟得到二元全息掩模板；以二进制编码的形式将二元全息掩模板编码到超薄超表面结构中，得到包含物光相位和振幅信息的超薄超表面结构。本发明利用特殊编码的纯振幅掩模板并结合全局调控手段，将目标光场的整体相位和幅度编码到厚度可忽略不计的超薄超表面结构中，实现对目标光场的高质量再现。
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公开(公告)号：CN115202175A
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN202210638521.4
申请日：2022-06-08
Applicant: 暨南大学
Abstract: 本发明提出一种基于光场编码的超薄超表面结构及其制备方法，包括以下步骤：设置期望的物光光场，生成对应物光光场的相位掩膜版；设置参考光，计算物光光场与参考光的干涉图样；对干涉图样进行二元编码，得到包含物体光相位及振幅信息的二元掩膜表达式；利用二元掩膜表达式和菲涅尔滤波器进行数值模拟得到二元全息掩模板；以二进制编码的形式将二元全息掩模板编码到超薄超表面结构中，得到包含物光相位和振幅信息的超薄超表面结构。本发明利用特殊编码的纯振幅掩模板并结合全局调控手段，将目标光场的整体相位和幅度编码到厚度可忽略不计的超薄超表面结构中，实现对目标光场的高质量再现。
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