公开(公告)号：CN105408985B

公开(公告)日：2018-04-03

申请号：CN201480042773.4

申请日：2014-08-13

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 小田原道哉 ,  田岛裕 ,  武藤大祐 ,  百濑贤治

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/42 ,  C23C16/44 ,  C30B25/20 ,  C30B29/36

CPC classification number: C30B25/186 ,  C23C16/325 ,  C23C16/4404 ,  C30B25/08 ,  C30B25/12 ,  C30B25/20 ,  C30B29/36 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/0262

Abstract: 本发明涉及SiC外延晶片的制造方法，具有以下工序：在专用的真空烘焙炉中，以2.0×10‑3Pa以下的真空度对被涂覆了的碳系材料构件进行真空烘焙的工序；将所述被涂覆了的碳系材料构件设置在外延晶片制造装置中的工序；和，在所述外延晶片制造装置内配置SiC基板，使该SiC基板上外延生长出SiC外延膜的工序。

公开(公告)号：CN102576666B

公开(公告)日：2015-10-21

申请号：CN201080037687.6

申请日：2010-08-25

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 百瀬賢治 ,  田岛裕 ,  坂口泰之 ,  小田原道哉 ,  宫坂佳彦

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/42 ,  C30B25/20 ,  C30B29/36

CPC classification number: H01L29/0684 ,  C30B25/20 ,  C30B29/36 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02587 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02658 ,  H01L29/1608

Abstract: 本发明提供一种在晶片的整个面没有台阶束的无台阶束的SiC外延晶片及其制造方法。本发明的碳化硅半导体装置的制造方法，其特征在于，具备：将以5°以下的偏轴角倾斜的4H-SiC单晶基板研磨到其表面的晶格无序层变为3nm以下的工序；在氢气氛下，使研磨后的基板为1400～1600℃，将其表面清洁化的工序；向清洁化后的基板的表面，以浓度比C/Si为0.7～1.2同时地供给碳化硅的外延生长所需要的量的SiH4气体和C3H8气体，使碳化硅外延生长的工序；和同时地停止SiH4气体和C3H8气体的供给，保持基板温度直到排出SiH4气体和C3H8气体，其后进行降温的工序。

公开(公告)号：CN105408985A

公开(公告)日：2016-03-16

申请号：CN201480042773.4

申请日：2014-08-13

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 小田原道哉 ,  田岛裕 ,  武藤大祐 ,  百濑贤治

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/42 ,  C23C16/44 ,  C30B25/20 ,  C30B29/36

CPC classification number: C30B25/186 ,  C23C16/325 ,  C23C16/4404 ,  C30B25/08 ,  C30B25/12 ,  C30B25/20 ,  C30B29/36 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/0262

Abstract: 本发明涉及SiC外延晶片的制造方法，具有以下工序：在专用的真空烘焙炉中，以2.0×10-3Pa以下的真空度对被涂覆了的碳系材料构件进行真空烘焙的工序；将所述被涂覆了的碳系材料构件设置在外延晶片制造装置中的工序；和，在所述外延晶片制造装置内配置SiC基板，使该SiC基板上外延生长出SiC外延膜的工序。

公开(公告)号：CN102576666A

公开(公告)日：2012-07-11

申请号：CN201080037687.6

申请日：2010-08-25

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 百瀬賢治 ,  田岛裕 ,  坂口泰之 ,  小田原道哉 ,  宫坂佳彦

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/42 ,  C30B25/20 ,  C30B29/36

CPC classification number: H01L29/0684 ,  C30B25/20 ,  C30B29/36 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02587 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02658 ,  H01L29/1608

Abstract: 本发明提供一种在晶片的整个面没有台阶束的无台阶束的SiC外延晶片及其制造方法。本发明的碳化硅半导体装置的制造方法，其特征在于，具备：将以5°以下的偏轴角倾斜的4H-SiC单晶基板研磨到其表面的晶格无序层变为3nm以下的工序；在氢气氛下，使研磨后的基板为1400～1600℃，将其表面清洁化的工序；向清洁化后的基板的表面，以浓度比C/Si为0.7～1.2同时地供给碳化硅的外延生长所需要的量的SiH4气体和C3H8气体，使碳化硅外延生长的工序；和同时地停止SiH4气体和C3H8气体的供给，保持基板温度直到排出SiH4气体和C3H8气体，其后进行降温的工序。