公开(公告)号：CN101331622B

公开(公告)日：2010-11-17

申请号：CN200680047570.X

申请日：2006-12-19

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 安田刚规 ,  友泽秀喜

IPC: H01L33/00

Abstract: 提供了一种倒装芯片型半导体发光器件以及用于所述倒装芯片型半导体发光器件的印刷电路板，所述倒装芯片型半导体发光器件具有电极面积相似的正电极和负电极，并在制造发光二极管灯时能够利用自对准效果来防止所述发光器件的错位。此外，采用倒装芯片型半导体发光器件1，其具有形成在半导体层的透明衬底侧的对侧上的负电极衬垫和正电极衬垫，其中以彼此相同的形状形成每一个所述电极衬垫，并且用于所述发光器件的印刷电路板具有以彼此相同的形状形成的成对的电极图形。此外，在每一个所述电极衬垫中包括焊接膜。

公开(公告)号：CN100446281C

公开(公告)日：2008-12-24

申请号：CN200480028833.3

申请日：2004-10-01

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 小早川真人 ,  友泽秀喜 ,  奥山峰夫

IPC: H01L33/00 ,  H01S5/343

CPC classification number: H01L33/007 ,  B82Y20/00 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/06 ,  H01L33/32 ,  H01L33/325 ,  H01S5/3086 ,  H01S5/3407 ,  H01S5/34333 ,  H01S2304/04

Abstract: 本发明的一个目的是提供氮化物半导体产品，该产品没有导致反向耐电压的时间相关的降低并且保持较好的初始反向耐电压。本发明的氮化物半导体产品包括n型层，发光层和p型层，所述各层由氮化物半导体形成并以上述次序顺序层叠在衬底上，所述发光层具有量子阱结构，其中阱层夹在具有比所述阱层的带隙宽的带隙的势垒层之间，其中每个势垒层包括：在比所述阱层的生长温度高的温度下生长的势垒子层C，和在比所述势垒子层C的生长温度低的温度下生长的势垒子层E，并且所述势垒子层C相对于所述势垒子层E设置靠近所述衬底。

公开(公告)号：CN100470857C

公开(公告)日：2009-03-18

申请号：CN200580011658.1

申请日：2005-03-03

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 小早川真人 ,  友泽秀喜 ,  三木久幸

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L31/0304 ,  H01L33/025 ,  H01L33/32 ,  H01S5/3054 ,  H01S5/32341 ,  Y02E10/544

Abstract: 一种氮化镓基半导体器件具有p型层，所述p型层是包含p型杂质并呈现p型导电性的氮化镓化合物半导体层。所述p型层包括顶部部分和位于所述顶部部分下的内部部分。所述内部部分包含所述p型杂质元素和与之结合的氢。

公开(公告)号：CN101331622A

公开(公告)日：2008-12-24

申请号：CN200680047570.X

申请日：2006-12-19

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 安田刚规 ,  友泽秀喜

IPC: H01L33/00

Abstract: 提供了一种倒装芯片型半导体发光器件以及用于所述倒装芯片型半导体发光器件的印刷电路板，所述倒装芯片型半导体发光器件具有电极面积相似的正电极和负电极，并在制造发光二极管灯时能够利用自对准效果来防止所述发光器件的错位。此外，采用倒装芯片型半导体发光器件1，其具有形成在半导体层的透明衬底侧的对侧上的负电极衬垫和正电极衬垫，其中以彼此相同的形状形成每一个所述电极衬垫，并且用于所述发光器件的印刷电路板具有以彼此相同的形状形成的成对的电极图形。此外，在每一个所述电极衬垫中包括焊接膜。

公开(公告)号：CN1943047A

公开(公告)日：2007-04-04

申请号：CN200580011658.1

申请日：2005-03-03

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 小早川真人 ,  友泽秀喜 ,  三木久幸

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L31/0304 ,  H01L33/025 ,  H01L33/32 ,  H01S5/3054 ,  H01S5/32341 ,  Y02E10/544

Abstract: 一种氮化镓基半导体器件具有p型层，所述p型层是包含p型杂质并呈现p型导电性的氮化镓化合物半导体层。所述p型层包括顶部部分和位于所述顶部部分下的内部部分。所述内部部分包含所述p型杂质元素和与之结合的氢。

公开(公告)号：CN1864277A

公开(公告)日：2006-11-15

申请号：CN200480028833.3

申请日：2004-10-01

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 小早川真人 ,  友泽秀喜 ,  奥山峰夫

IPC: H01L33/00 ,  H01S5/343

CPC classification number: H01L33/007 ,  B82Y20/00 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/06 ,  H01L33/32 ,  H01L33/325 ,  H01S5/3086 ,  H01S5/3407 ,  H01S5/34333 ,  H01S2304/04

Abstract: 本发明的一个目的是提供氮化物半导体产品，该产品没有导致反向耐电压的时间相关的降低并且保持较好的初始反向耐电压。本发明的氮化物半导体产品包括n型层，发光层和p型层，所述各层由氮化物半导体形成并以上述次序顺序层叠在衬底上，所述发光层具有量子阱结构，其中阱层夹在具有比所述阱层的带隙宽的带隙的势垒层之间，其中每个势垒层包括：在比所述阱层的生长温度高的温度下生长的势垒子层C，和在比所述势垒子层C的生长温度低的温度下生长的势垒子层E，并且所述势垒子层C相对于所述势垒子层E设置靠近所述衬底。