-
公开(公告)号：CN107871814B
公开(公告)日：2021-02-12
申请号：CN201710892742.3
申请日：2017-09-27
Applicant: 旭化成微电子株式会社
Inventor： 石田拓也
Abstract: 本发明提供一种能够抑制霍尔元件的偏置电压变动的磁传感器。本发明的磁传感器(100)具有霍尔元件(10)、第一面(51)和第二面(52)。霍尔元件(10)具有基板(10)和形成在基板(10)上的活性层(12)。第一面(51)为使基板(11)侧为下侧时成为最上侧的面。第二面(52)为使基板(11)侧为下侧时成为最下侧的面。第一面(51)与活性层(12)的靠第一面(51)侧的面之间的距离(D)为100μm以下。第一面(51)的算术平均粗糙度(Ra)为1μm以上且为20μm以下。
-
公开(公告)号：CN115877282A
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN202211190531.2
申请日：2022-09-28
Applicant: 旭化成微电子株式会社
IPC: G01R33/07
Abstract: 磁传感器具备：芯片焊盘；信号处理IC，其与芯片焊盘的第1面相对地配置；粘合层，其配置于芯片焊盘的第1面和信号处理IC的与芯片焊盘相对的第1面之间；以及至少一个磁电转换元件，其与信号处理IC的第1端面相对地配置，检测特定方向的磁场。芯片焊盘、信号处理IC、粘合层以及至少一个磁电转换元件被模制树脂密封。在俯视时，信号处理IC的第1端面的至少一部分位于比芯片焊盘的至少一个磁电转换元件侧的第1端面靠至少一个磁电转换元件侧的位置。在芯片焊盘的第1端面侧的第1面与信号处理IC的第1端面侧的第1面之间，设有供模制树脂进入的隔离部，隔离部的厚度小于芯片焊盘的厚度。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107871814A
公开(公告)日：2018-04-03
申请号：CN201710892742.3
申请日：2017-09-27
Applicant: 旭化成微电子株式会社
Inventor： 石田拓也
Abstract: 本发明提供一种能够抑制霍尔元件的偏置电压变动的磁传感器。本发明的磁传感器(100)具有霍尔元件(10)、第一面(51)和第二面(52)。霍尔元件(10)具有基板(10)和形成在基板(10)上的活性层(12)。第一面(51)为使基板(11)侧为下侧时成为最上侧的面。第二面(52)为使基板(11)侧为下侧时成为最下侧的面。第一面(51)与活性层(12)的靠第一面(51)侧的面之间的距离(D)为100μm以下。第一面(51)的算术平均粗糙度(Ra)为1μm以上且为20μm以下。
-
公开(公告)号：CN207250568U
公开(公告)日：2018-04-17
申请号：CN201721251655.1
申请日：2017-09-27
Applicant: 旭化成微电子株式会社
Inventor： 石田拓也
Abstract: 本实用新型提供一种能够抑制霍尔元件的偏置电压变动的磁传感器。本实用新型的磁传感器(100)具有霍尔元件(10)、第一面(51)和第二面(52)。霍尔元件(10)具有基板(10)和形成在基板(10)上的活性层(12)。第一面(51)为使基板(11)侧为下侧时成为最上侧的面。第二面(52)为使基板(11)侧为下侧时成为最下侧的面。第一面(51)与活性层(12)的靠第一面(51)侧的面之间的距离(D)为100μm以下。第一面(51)的算术平均粗糙度(Ra)为1μm以上且为20μm以下。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
-
公开(公告)号：CN220543019U
公开(公告)日：2024-02-27
申请号：CN202322186863.X
申请日：2023-08-15
Applicant: 旭化成微电子株式会社
IPC: G01R19/00
Abstract: 本实用新型提供一种电流传感器。电流传感器通过利用密封部将至少一个磁电转换元件、导体以及信号处理IC进行密封来构成。电流传感器具备：一对第一引线端子，该一对第一引线端子的一部分露出到密封部的外部，该一对第一引线端子与导体电连接，用于向导体输入测量电流，并将来自导体的测量电流输出；金属制构件，所述金属制构件的一部分露出到密封部的外部，所述金属制构件与所述导体分离；以及支承部，其通过第一面来支承所述至少一个磁电转换元件、信号处理IC以及金属制构件，所述支承部与导体分离，且不同于所述金属制构件。
-
公开(公告)号：CN207250569U
公开(公告)日：2018-04-17
申请号：CN201721320039.7
申请日：2017-10-13
Applicant: 旭化成微电子株式会社
Inventor： 石田拓也
IPC: H01L43/06 , H01L43/04 , H01L31/0203
Abstract: 提供一种无岛构造的抑制了元件的破裂的半导体装置。在以往的半导体装置中，存在容易在元件的露出部发生破裂这样的问题点。本实用新型的传感器具备元件、多个引线端子、多个导体以及密封部。元件具有磁电转换功能或光电转换功能，具有基板、形成在基板上的活性层以及与活性层电连接的多个电极。多个引线端子在俯视时被配置在霍尔元件的周围。导体分别将霍尔元件的多个电极与多个引线端子电连接。密封部含有合成树脂，将霍尔元件的活性层侧的面、霍尔元件的侧面、霍尔元件的与活性层相反一侧的面即背面的外缘部以及多个导体覆盖。
-
公开(公告)号：CN207896074U
公开(公告)日：2018-09-21
申请号：CN201820403062.0
申请日：2018-03-23
Applicant: 旭化成微电子株式会社
Inventor： 石田拓也
Abstract: 本实用新型提供一种半导体装置。以往，随着半导体装置小型化而从密封体端面露出的端子底面的面积变小，焊接面积变小而使安装强度降低。本实用新型的半导体装置具备具有磁电转换功能并具备多个电极的半导体元件、在俯视时配置在半导体元件的周围的引线端子、多个金属细线以及密封体。多个引线端子中的至少一个引线端子具有从密封体底面露出的端子底面、从密封体上表面露出的端子上表面、从密封体侧面露出的端子外侧面。在截面观察时，端子外侧面的至少一部分从端子底面的端部向外侧突出。即，在俯视时，端子底面侧的端部处于比端子上表面侧的端部靠内侧的位置。通过本实用新型，即使在端子底面的面积小的情况下也会确保焊接的充分的安装强度。
-
-
-
-
-
-
Search Results
7
records
(took 0.021 seconds)
