公开(公告)号：CN101043049A

公开(公告)日：2007-09-26

申请号：CN200710088746.2

申请日：2007-03-22

Applicant: 日本电气株式会社 ,  NEC液晶技术株式会社

Inventor： 田中淳 ,  加纳博司

IPC: H01L29/49 ,  H01L29/786 ,  H01L23/532 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L29/4908 ,  H01L29/66757

Abstract: 提供一种由微晶硅薄膜和金属薄膜构成的叠层布线，该叠层布线能够抑制微晶硅薄膜和金属薄膜之间的过多硅化物生成反应，由此防止发生薄膜脱落。在利用叠层布线的多晶硅TFT(薄膜晶体管)中，微晶硅薄膜被构造，使得微晶硅薄膜中的、在微晶硅薄膜的膜厚度方向上的长度为微晶硅薄膜的膜厚度的60％或更大的晶粒，总计为晶粒总数的15％或更少；或者使得微晶硅薄膜中的、在微晶硅薄膜的膜厚度方向上的长度为微晶硅薄膜的膜厚度的50％或更小的晶粒，总计为构成微晶硅薄膜的晶粒总数的85％或更多。

公开(公告)号：CN101315947B

公开(公告)日：2011-06-22

申请号：CN200810109584.0

申请日：2008-06-02

Applicant: NEC液晶技术株式会社

Inventor： 森茂 ,  田边浩 ,  田中淳

IPC: H01L29/51 ,  H01L29/786 ,  H01L21/316 ,  H01L21/285 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/4908

Abstract: 本发明提供了一种作为栅极绝缘膜的高性能氧化硅膜并且提供一种具有半导体器件，所述的氧化硅膜和半导体器件具有优良的电特性。根据本发明的氧化硅膜在膜中包含CO2，其中，当红外吸收光谱中的峰的积分强度由(半高峰宽)×(峰高)表示时，相对于在波数1,060cm-1附近出现的SiO2-特征峰的积分强度，在波数2,340cm-1附近出现的CO2-特征峰的积分强度是8E-4倍以上。

公开(公告)号：CN101043049B

公开(公告)日：2010-10-13

申请号：CN200710088746.2

申请日：2007-03-22

Applicant: NEC液晶技术株式会社

Inventor： 田中淳 ,  加纳博司

IPC: H01L29/49 ,  H01L29/786 ,  H01L23/532 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L29/4908 ,  H01L29/66757

Abstract: 提供一种由微晶硅薄膜和金属薄膜构成的叠层布线，该叠层布线能够抑制微晶硅薄膜和金属薄膜之间的过多硅化物生成反应，由此防止发生薄膜脱落。在利用叠层布线的多晶硅TFT(薄膜晶体管)中，微晶硅薄膜被构造，使得微晶硅薄膜中的、在微晶硅薄膜的膜厚度方向上的长度为微晶硅薄膜的膜厚度的60％或更大的晶粒，总计为晶粒总数的15％或更少；或者使得微晶硅薄膜中的、在微晶硅薄膜的膜厚度方向上的长度为微晶硅薄膜的膜厚度的50％或更小的晶粒，总计为构成微晶硅薄膜的晶粒总数的85％或更多。

公开(公告)号：CN101315947A

公开(公告)日：2008-12-03

申请号：CN200810109584.0

申请日：2008-06-02

Applicant: NEC液晶技术株式会社

Inventor： 森茂 ,  田边浩 ,  田中淳

IPC: H01L29/51 ,  H01L29/786 ,  H01L21/316 ,  H01L21/285 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/4908

Abstract: 本发明提供了一种作为栅极绝缘膜的高性能氧化硅膜并且提供一种具有半导体器件，所述的氧化硅膜和半导体器件具有优良的电特性。根据本发明的氧化硅膜在膜中包含CO2，其中，当红外吸收光谱中的峰的积分强度由(半高峰宽)×(峰高)表示时，相对于在波数1,060cm－1附近出现的SiO2－特征峰的积分强度，在波数2,340cm－1附近出现的CO2－特征峰的积分强度是8E－4倍以上。