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公开(公告)号：CN1088917C
公开(公告)日：2002-08-07
申请号：CN96109802.3
申请日：1996-09-16
Applicant: 日本电气株式会社
CPC classification number: B82Y25/00 , B82Y10/00 , G01R33/093 , G11B5/3116 , G11B5/3903 , G11B5/3932 , G11B2005/3996
Abstract: 一磁致电阻元件通常包括：依次相连的一抗铁磁性层、一第一铁磁性层、一非磁性层和一第二铁磁性层。代替非磁性层，磁致电阻元件可以包括一钴层、一非磁性层和一钴层的组合层。抗铁磁性层是由镍氧化物、镍氧化物和钴氧化物的混合物、或镍氧化物和钴氧化物的叠片制作的。铁磁性层有1-10毫微米厚，元件有0.1-1微米高。非磁性层有2-3毫微米厚，抗铁磁性层有5-30毫微米厚。磁致电阻元件有一适当的交叉点，输出很好的再现信号，并有对应于输出信号的所要求的半波长。
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公开(公告)号：CN105075116B
公开(公告)日：2017-12-19
申请号：CN201480018222.4
申请日：2014-02-04
CPC classification number: H04B10/697 , H03F3/08 , H04B10/0795 , H04B10/693 , H04L25/085
Abstract: 一种光学接收机电路，具有将差分光学信号转换成差分电流信号的功能。光学接收机电路具有一对光接收元件和一对信号线，该一对光接收元件包括第一和第二光接收元件，第一和第二光接收元件能够操作用于将光学信号转换成电流信号。第一光接收元件的阳极和第二光接收元件的阴极分别通过第一和第二AC耦合电容器连接到一对信号线中的第一信号线。第一光接收元件的阴极和第二光接收元件的阳极分别通过第三和第四AC耦合电容器连接到一对信号线中的第二信号线。响应于向第一和第二光接收元件输入的差分光学信号的接收，在第一和第二信号线中生成差分信号电流。
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公开(公告)号：CN1965414B
公开(公告)日：2010-09-29
申请号：CN200580018358.6
申请日：2005-04-05
Applicant: 日本电气株式会社
IPC: H01L31/0216
CPC classification number: H01L31/022408 , H01L31/108
Abstract: 本发明涉及一种肖特基光电二极管，其包括半导体层和配置为接触半导体层的导电膜。导电膜具有小孔和配置在所述小孔周围的周期性结构，用于借助膜表面的入射光通过导电膜的膜表面中受激发的表面等离子体激元产生共振状态。光电二极管探测由受激的表面等离子体激元在导电膜和半导体层之间界面处产生的近场光。小孔具有小于入射光波长的直径。
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公开(公告)号：CN101563790A
公开(公告)日：2009-10-21
申请号：CN200780047116.9
申请日：2007-11-28
Applicant: 日本电气株式会社
IPC: H01L31/108 , H01L31/105 , H01L31/0224
CPC classification number: H01L31/1085 , B82Y20/00 , G02B6/1226 , H01L31/0224 , H01L31/105
Abstract: 提供一种实现发光二极管的感光灵敏度和快速性的装置构造。一种在半导体层的表面设置有导电层的肖特基势垒型的发光二极管，所述发光二极管构成为光能够从所述半导体层的背面侧入射，在所述发光二极管的肖特基接合部的周围形成有周期构造，该周期构造使从所述半导体层的背面侧入射的光产生表面等离子体共振。
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公开(公告)号：CN1161577A
公开(公告)日：1997-10-08
申请号：CN96109802.3
申请日：1996-09-16
Applicant: 日本电气株式会社
CPC classification number: B82Y25/00 , B82Y10/00 , G01R33/093 , G11B5/3116 , G11B5/3903 , G11B5/3932 , G11B2005/3996
Abstract: 一磁致电阻元件通常包括：依次相连的一抗铁磁性层、一第一铁磁性层、一非磁性层和一第二铁磁性层。代替非磁性层，磁致电阻元件可以包括一钴层、一非磁性层和一钴层的组合层。抗铁磁性层是由镍氧化物、镍氧化物和钴氧化物的混合物、或镍氧化物和钴氧化物的叠片制作的。铁磁性层有1-10毫微米厚，元件有0.1-1微米高。非磁性层有2-3毫微米厚，抗铁磁性层有5-30毫微米厚。磁致电阻元件有一适当的交叉点，输出很好的再现信号，并有对应于输出信号的所要求的半波长。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105075116A
公开(公告)日：2015-11-18
申请号：CN201480018222.4
申请日：2014-02-04
CPC classification number: H04B10/697 , H03F3/08 , H04B10/0795 , H04B10/693 , H04L25/085
Abstract: 一种光学接收机电路，具有将差分光学信号转换成差分电流信号的功能。光学接收机电路具有一对光接收元件和一对信号线，该一对光接收元件包括第一和第二光接收元件，第一和第二光接收元件能够操作用于将光学信号转换成电流信号。第一光接收元件的阳极和第二光接收元件的阴极分别通过第一和第二AC耦合电容器连接到一对信号线中的第一信号线。第一光接收元件的阴极和第二光接收元件的阳极分别通过第三和第四AC耦合电容器连接到一对信号线中的第二信号线。响应于向第一和第二光接收元件输入的差分光学信号的接收，在第一和第二信号线中生成差分信号电流。
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公开(公告)号：CN101438419A
公开(公告)日：2009-05-20
申请号：CN200780016396.7
申请日：2007-03-08
Applicant: 日本电气株式会社
IPC: H01L31/108
CPC classification number: H01L31/1085 , H01L31/022408
Abstract: 光电二极管的高光接收灵敏度和高速被同时实现。所述光电二极管设置有半导体层(1)和一对金属电极(2)，所述金属电极(2)以间隔(d)设置在半导体层(1)的表面上，并且形成MSM结。所述间隔(d)满足关系λ＞d＞λ/100，其中λ是入射光的波长。所述金属电极(2)能够感生表面等离子体。所述电极中的至少一个与半导体层(1)形成肖特基结，并且下端部分嵌入半导体层(1)中到小于λ/2n的深度的位置，其中n是半导体层(1)的折射率。
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公开(公告)号：CN101438419B
公开(公告)日：2012-02-22
申请号：CN200780016396.7
申请日：2007-03-08
Applicant: 日本电气株式会社
IPC: H01L31/108
CPC classification number: H01L31/1085 , H01L31/022408
Abstract: 光电二极管的高光接收灵敏度和高速被同时实现。所述光电二极管设置有半导体层(1)和一对金属电极(2)，所述金属电极(2)以间隔(d)设置在半导体层(1)的表面上，并且形成MSM结。所述间隔(d)满足关系λ>d>λ/100，其中λ是入射光的波长。所述金属电极(2)能够感生表面等离子体。所述电极中的至少一个与半导体层(1)形成肖特基结，并且下端部分嵌入半导体层(1)中到小于λ/2n的深度的位置，其中n是半导体层(1)的折射率。
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公开(公告)号：CN101563790B
公开(公告)日：2011-10-05
申请号：CN200780047116.9
申请日：2007-11-28
Applicant: 日本电气株式会社
IPC: H01L31/108 , H01L31/105 , H01L31/0224
CPC classification number: H01L31/1085 , B82Y20/00 , G02B6/1226 , H01L31/0224 , H01L31/105
Abstract: 提供一种实现光电二极管的感光灵敏度和快速性的装置构造。一种在半导体层的表面设置有导电层的肖特基势垒型的光电二极管，所述光电二极管构成为光能够从所述半导体层的背面侧入射，在所述光电二极管的肖特基结的周围形成有周期构造，该周期构造使从所述半导体层的背面侧入射的光产生表面等离子体共振。
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公开(公告)号：CN1965414A
公开(公告)日：2007-05-16
申请号：CN200580018358.6
申请日：2005-04-05
Applicant: 日本电气株式会社
IPC: H01L31/0216
CPC classification number: H01L31/022408 , H01L31/108
Abstract: 本发明涉及一种肖特基光电二极管，其包括半导体层和配置为接触半导体层的导电膜。导电膜具有小孔和配置在所述小孔周围的周期性结构，用于借助膜表面的入射光通过导电膜的膜表面中受激发的表面等离子体激元产生共振状态。光电二极管探测由受激的表面等离子体激元在导电膜和半导体层之间界面处产生的近场光。小孔具有小于入射光波长的直径。
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