公开(公告)号：CN119858892A

公开(公告)日：2025-04-22

申请号：CN202411797897.5

申请日：2024-12-09

Applicant: 无锡北微传感科技有限公司

Inventor： 黄小浚 ,  余未 ,  陈丽娜 ,  时广轶 ,  王春波

IPC: B81B7/00 ,  G01C21/16 ,  B81B7/02 ,  B81C1/00

Abstract: 本发明公开了一种MEMS器件架构，包括盖帽层、器件层和衬底层，盖帽层和器件层键合，键合完成后的整体和衬底层键合，盖帽层基于第一硅基板制造而成，盖帽层底部设置有空腔结构，盖帽层内设置有高深槽结构，高深槽结构的槽壁设置有二氧化硅薄膜，高深槽结构内沉积填充有多晶硅，第一硅基板上表面设置有二氧化硅层；器件层基于SOI晶圆制作而成，包括由顶层硅组成的第一硅结构层、埋氧化层和由背衬底硅组成的第二硅结构层；衬底层包括第二硅基板，第二硅基板顶面设置有底层空腔，第二硅基板底面开设有排气孔。本发明结合深槽刻蚀、多晶硅填槽和键合技术，利用SOI晶圆和聚酰亚胺层等先进材料，实现了卓越的信号隔离和多种MEMS IMU应用的灵活性。