公开(公告)号：CN1789998A

公开(公告)日：2006-06-21

申请号：CN200510122923.5

申请日：2005-12-05

Applicant: 扬州大学

Inventor： 王彩娟 ,  胡效亚

IPC: G01N27/30 ,  H01L21/00

Abstract: 半径小于500nm的纳米碳圆盘电极的制造方法，本发明涉及一种纳米电极的制造技术，将直径为微米级的碳纤维或碳管或碳棒通过银导电胶与铜丝相连，在碱性溶液中用电化学方法进行刻蚀，待碳材料在溶液与空气界面发生断裂产生纳米级的尖端后，用直流稳压电源在碳材料表面电泳沉积绝缘层，经加热绝缘层固化至电极完全绝缘，然后将绝缘后电极用胶密封在塑料管中，胶干后，打磨抛光或激光刻蚀，直至暴露出碳材料的尖端，即得在铁氰化钾的氯化钾溶液中出现良好的“S”形极限稳态伏安曲线的碳纳米圆盘电极。

公开(公告)号：CN100386621C

公开(公告)日：2008-05-07

申请号：CN200510122923.5

申请日：2005-12-05

Applicant: 扬州大学

Inventor： 王彩娟 ,  胡效亚

IPC: G01N27/30 ,  H01L21/00

Abstract: 半径小于500nm的纳米碳圆盘电极的制造方法，本发明涉及一种纳米电极的制造技术，将直径为微米级的碳纤维或碳管或碳棒通过银导电胶与铜丝相连，在碱性溶液中用电化学方法进行刻蚀，待碳材料在溶液与空气界面发生断裂产生纳米级的尖端后，用直流稳压电源在碳材料表面电泳沉积绝缘层，经加热绝缘层固化至电极完全绝缘，然后将绝缘后电极用胶密封在塑料管中，胶干后，打磨抛光或激光刻蚀，直至暴露出碳材料的尖端，即得在铁氰化钾的氯化钾溶液中出现良好的“S”形极限稳态伏安曲线的碳纳米圆盘电极。