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    用于极紫外光刻的半色调衰减式相移空白掩模和光掩模
    1.
    发明公开
    用于极紫外光刻的半色调衰减式相移空白掩模和光掩模 有权

    公开(公告)号：CN112698545A

    公开(公告)日：2021-04-23

    申请号：CN202011136791.2

    申请日：2020-10-22

    Applicant: 思而施技术株式会社

    Inventor： 申澈 ,  李锺华 ,  郑始俊 ,  梁澈圭

    IPC: G03F1/32

    Abstract: 本公开涉及一种用于极紫外光刻的半色调衰减式相移空白掩模和光掩模，用于极紫外光刻的半色调衰减式相移空白掩模包含：顺序地设置于透明衬底上的反射膜、覆盖膜、第一蚀刻终止膜、相移膜、第二蚀刻终止膜以及吸收膜。相移膜具有20％或大于20％的高反射率，如此在晶片印刷期间改进归一化图像对数斜率和掩模误差增强因数的特性。

    空白罩幕以及光罩
    2.
    发明授权
    空白罩幕以及光罩 有权

    公开(公告)号：CN113227898B

    公开(公告)日：2024-05-24

    申请号：CN201980085968.X

    申请日：2019-12-20

    Applicant: 思而施技术株式会社

    Inventor： 申澈 ,  李锺华 ,  梁澈圭 ,  崔珉箕 ,  申昇协 ,  公拮寓

    IPC: G03F1/32 ,  G03F1/38

    Abstract: 一种空白罩幕以及光罩，所述空白罩幕包括形成于透明基板上的硬膜以及光屏蔽膜。所述硬膜是由硅化合物制成，除硅外，所述硅化合物含有氧、氮及碳中的至少一者。提供一种在分辨率、期望的CD(临界尺寸(criticaldimension))以及制程窗口余裕(process window margin)方面得到改善的空白罩幕以及光罩。因此，当形成32纳米或小于32纳米、特别是14纳米或小于14纳米的图案时，可制造良好品质的空白罩幕以及光罩。

    空白掩模和光掩模
    4.
    发明公开
    空白掩模和光掩模 有权

    公开(公告)号：CN110716388A

    公开(公告)日：2020-01-21

    申请号：CN201811558340.0

    申请日：2018-12-19

    Applicant: 思而施技术株式会社

    Inventor： 申澈 ,  李锺华 ,  梁澈圭 ,  崔珉箕

    IPC: G03F1/50

    Abstract: 本申请提供一种空白掩模和光掩模，所述空白掩模包含：遮光膜，设置在透明衬底上；以及硬掩模膜，设置在遮光膜上且包括钼铬(MoCr)。因此，硬掩模膜不仅具有提高的蚀刻速度，且还具有对氟(F)基干式蚀刻的足够的耐蚀刻性，以使得可减小对抗蚀剂膜的蚀刻负载且可改善硬掩模膜图案和遮光膜图案的线边缘粗糙度(LER)，从而形成用于高精确度图案印刷的光掩模。

    用于极紫外光刻的半色调衰减式相移空白掩模和光掩模
    5.
    发明授权
    用于极紫外光刻的半色调衰减式相移空白掩模和光掩模 有权

    公开(公告)号：CN112698545B

    公开(公告)日：2024-11-26

    申请号：CN202011136791.2

    申请日：2020-10-22

    Applicant: 思而施技术株式会社

    Inventor： 申澈 ,  李锺华 ,  郑始俊 ,  梁澈圭

    IPC: G03F1/32

    Abstract: 本公开涉及一种用于极紫外光刻的半色调衰减式相移空白掩模和光掩模，用于极紫外光刻的半色调衰减式相移空白掩模包含：顺序地设置于透明衬底上的反射膜、覆盖膜、第一蚀刻终止膜、相移膜、第二蚀刻终止膜以及吸收膜。相移膜具有20％或大于20％的高反射率，如此在晶片印刷期间改进归一化图像对数斜率和掩模误差增强因数的特性。

    用于EUV光刻的相移空白掩模及光掩模
    7.
    发明公开
    用于EUV光刻的相移空白掩模及光掩模 审中-实审

    公开(公告)号：CN117891123A

    公开(公告)日：2024-04-16

    申请号：CN202310202890.3

    申请日：2023-03-06

    Applicant: 思而施技术株式会社

    Inventor： 金用大 ,  李锺华 ,  梁澈圭

    IPC: G03F1/26 ,  G03F1/22 ,  G03F1/80

    Abstract: 公开了一种用于EUV光刻的空白掩模，包含依序形成于衬底上的反射膜、罩盖膜及相移膜。所述相移膜包含含有铌(Nb)及铬(Cr)的第一层及含有钽(Ta)及矽(Si)的第二层。在所述第一层中，铌(Nb)的含量在20到50原子％范围内，且铬(Cr)的含量在10到40原子％范围内。所述空白掩模可实施极佳分辨率及NILS，且实施低DtC。

    空白罩幕以及光罩
    8.
    发明公开
    空白罩幕以及光罩 有权

    公开(公告)号：CN113227898A

    公开(公告)日：2021-08-06

    申请号：CN201980085968.X

    申请日：2019-12-20

    Applicant: 思而施技术株式会社

    Inventor： 申澈 ,  李锺华 ,  梁澈圭 ,  崔珉箕 ,  申昇协 ,  公拮寓

    IPC: G03F1/32 ,  G03F1/38

    Abstract: 一种空白罩幕包括形成于透明基板上的硬膜以及光屏蔽膜。所述硬膜是由硅化合物制成，除硅外，所述硅化合物含有氧、氮及碳中的至少一者。提供一种在分辨率、期望的CD(临界尺寸(critical dimension))以及制程窗口余裕(process window margin)方面得到改善的空白罩幕以及光罩。因此，当形成32纳米或小于32纳米、特别是14纳米或小于14纳米的图案时，可制造良好品质的空白罩幕以及光罩。

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