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公开(公告)号：CN108355697B
公开(公告)日：2019-12-13
申请号：CN201810114856.X
申请日：2018-02-06
Applicant: 徐州工程学院
IPC: B01J27/24
Abstract: 本发明公开了一种三元半导体催化剂的制备方法，具体按照以下步骤进行：步骤1，在8～30mL的丙酮与2‑甲氧基乙醇的混合溶剂中加入1～3mmol过氧化苯甲酰，在上述混合溶液中依次加入0.2～0.5mL甲基丙烯酸和0.4～1mL钛酸异丙酯后得浅黄色溶液；步骤2，在步骤1所得溶液中加入五水合硝酸铋后所得溶液在120℃下加热60min，得前驱体P0；步骤3，将热聚合法所得g‑C3N4与P0按照质量比小于2混合后，在间歇通入N2‑O2混合气体的540℃管式炉中加热2h后得三元催化剂。本发明构筑异质结构避免光生载流子的复合，从而在一定程度上提高半导体的光催化性能。
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公开(公告)号：CN108355697A
公开(公告)日：2018-08-03
申请号：CN201810114856.X
申请日：2018-02-06
Applicant: 徐州工程学院
IPC: B01J27/24
Abstract: 本发明公开了一种三元半导体催化剂的制备方法，具体按照以下步骤进行：步骤1，在8～30mL的丙酮与2-甲氧基乙醇的混合溶剂中加入1～3mmol过氧化苯甲酰，在上述混合溶液中依次加入0.2～0.5mL甲基丙烯酸和0.4～1mL钛酸异丙酯后得浅黄色溶液；步骤2，在步骤1所得溶液中加入五水合硝酸铋后所得溶液在120℃下加热60min，得前驱体P0；步骤3，将热聚合法所得g-C3N4与P0按照质量比小于2混合后，在间歇通入N2-O2混合气体的540℃管式炉中加热2h后得三元催化剂。本发明构筑异质结构避免光生载流子的复合，从而在一定程度上提高半导体的光催化性能。
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公开(公告)号：CN106238089A
公开(公告)日：2016-12-21
申请号：CN201610715397.1
申请日：2016-08-24
Applicant: 徐州工程学院
CPC classification number: B01J35/004 , B01J27/24 , C02F1/30 , C02F1/70 , C02F2305/10
Abstract: 本发明新公开了一种可见光响应g-C3N4/SnS2复合光催化剂的制备方法，本发明的制备步骤如下：(1)水热合成SnS2；(2)热聚合法制备g-C3N4，研磨成粉末备用；(3)原位水热合成g-C3N4/SnS2，要加入由步骤(2)制备的g-C3N4。其中，在步骤(3)中，合成SnS2的原料包括5mmol的SnCl4.5H2O以及10mmol的C2H5NS，在合成g-C3N4/SnS2复合光催化剂时，加入所述g-C3N4的质量是步骤(1)生成的SnS2质量的25％-100％，其中最佳质量为SnS2质量的66.7％。本发明制得的g-C3N4/SnS2纳米复合的光催化剂具有较多的优点，它不仅可以抑制电子(e-)-空穴(h+)对的复合，而且还进一步提高了对含铬废水的还原率，更重要的是能够取代金属半导体材料中价格昂贵的金属元素，降低了成本并且具有良好的稳定性，易实现大规模生产。
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公开(公告)号：CN206328181U
公开(公告)日：2017-07-14
申请号：CN201621188169.5
申请日：2016-10-28
Applicant: 徐州工程学院
IPC: C02F1/30
CPC classification number: Y02W10/37
Abstract: 本实用新型公开了一种处理污水的微型催化反应器，属于污水处理装置领域，包括箱体、带有入水管和出水管的反应釜、光源、搅拌器、冷却装置、鼓气装置、光源切换开关及光强调节开关，其中，所述箱体内设有多个并联的呈环形排布的反应釜；光源安装在多个反应釜所形成的环形中心的箱体内壁上；搅拌器包括机械搅拌器和磁力搅拌器，机械搅拌器设于反应釜内，磁力搅拌器设于反应釜底部；冷却装置包括散热风扇和冷肼冷却管，散热风扇设于箱体内壁上，冷肼冷却管环抱反应釜设置；鼓气装置设于箱体内壁上；光源切换开关和光强调节开关设于箱体外表面。本实用新型便于移动，操作简单，多釜并行操作，且具有光源可调、便于回收等特点。
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