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公开(公告)号：CN102173831A
公开(公告)日：2011-09-07
申请号：CN201010622380.4
申请日：2010-12-30
Applicant: 山东理工大学
IPC: C04B35/66 , C04B35/58 , C04B35/622 , B32B18/00
Abstract: 本发明提供一种流延法制备层状硼化锆超高温陶瓷的方法，其特征在于采用以下步骤：1)采用流延法分别制备两种不同组分和厚度的硼化锆流延片：先将粘结剂和增塑剂加入溶剂中搅拌均匀，再分别加入硼化锆陶瓷粉料、搅拌均匀，形成两种不同组分的流延料，然后流延成型，室温干燥脱模后分别得到300～1000μm厚的硼化锆流延片A和20～100μm厚的硼化锆流延片B；2)对流延片A和流延片B依照模具大小分别切片；3)将切片后的流延片A和流延片B交替叠加放入石墨磨具中，真空脱脂；4)在氩气气氛下热压烧结，烧结温度为1900～2000℃，压力为20～40MPa，即得层状超高温陶瓷。本发明采用流延成型技术，工艺简单，所得材料的韧值高达9.3MPa·m1/2。
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公开(公告)号：CN101844807A
公开(公告)日：2010-09-29
申请号：CN201010182591.0
申请日：2010-05-17
Applicant: 山东理工大学
Abstract: 本发明提供一种片状氧化铪纳米粉体的制备方法，属于纳米粉体材料领域，其特征在于：采用固相法，以四氯化铪和草酸为原料，按摩尔比1∶1～3将两者混合，球磨均匀，然后在450～800℃煅烧2h，即得片状氧化铪纳米粉体，其厚度在10nm左右，宽度大于500nm。本发明工艺简单，操作安全，煅烧温度低，颗粒小，能作为片状增韧材料。
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公开(公告)号：CN110028338A
公开(公告)日：2019-07-19
申请号：CN201910429128.2
申请日：2019-05-22
Applicant: 山东理工大学
IPC: C04B41/87
Abstract: 本发明涉及一种ZrB2-SiC-B2O3-SiO2-Zr(H3PO4)2涂层的制备方法。该涂层以ZrB2、SiC、B2O3、SiO2、H3PO4为原料，通过调节比例职称浆料后利用刷涂的方式将浆料刷在石墨材料表面，其厚度可以通过多次刷涂和调节浆料粘稠度的方法进行调节。该方法制备工艺简单，适用于复杂形状基体材料。该涂层可以在1500℃的高温氧化环境中使用，显著提高了石墨材料的抗氧化性能，具有良好的高温抗氧化性能。
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公开(公告)号：CN103818956B
公开(公告)日：2017-06-20
申请号：CN201410097881.3
申请日：2014-03-17
Applicant: 山东理工大学
IPC: C01G25/02
Abstract: 本发明提供一种水淬法合成片状纳米氧化锆的制备工艺，属于纳米材料制备技术领域。其特征在于：采用水淬法，以硼化锆粉体为原料，粉体粒度为2～50μm，纯度大于99%，加热至900～1100℃保温0.2～1 h，水淬，水淬溶液温度为10～30℃，水淬后干燥，重复以上操作0～2次，即得片状纳米氧化锆粉体。本发明工艺简单，操作安全，成本低，不造成污染，合成的片状纳米氧化锆，沿层面平行方向的尺寸大于其厚度3倍，且分散性好。
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公开(公告)号：CN101844807B
公开(公告)日：2012-04-25
申请号：CN201010182591.0
申请日：2010-05-17
Applicant: 山东理工大学
Abstract: 本发明提供一种片状氧化铪纳米粉体的制备方法，属于纳米粉体材料领域，其特征在于：采用固相法，以四氯化铪和草酸为原料，按摩尔比1∶1～3将两者混合，球磨均匀，然后在450～800℃煅烧2h，即得片状氧化铪纳米粉体，其厚度在10nm左右，宽度大于500nm。本发明工艺简单，操作安全，煅烧温度低，颗粒小，能作为片状增韧材料。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101830507B
公开(公告)日：2012-03-28
申请号：CN201010182584.0
申请日：2010-05-17
Applicant: 山东理工大学
Abstract: 本发明提供一种沉淀法合成片状纳米氧化锆的制备工艺，属于纳米材料制备技术领域。其特征在于：在搅拌条件下，将0.05～1mol/L硼氢化钠溶液滴入0.05～1mol/L氧氯化锆溶液中，先生成凝胶，继续滴定生成白色沉淀，搅拌0.5～24h，然后将沉淀用蒸馏水或无水乙醇抽滤洗涤数次，直至洗液显中性为止，50～90℃干燥得到的粉体，500～900℃煅烧2h，即得片状纳米氧化锆粉体。本发明工艺简单，操作安全，成本低，不造成污染，合成的片状纳米氧化锆，沿层面平行方向的尺寸大于其厚度20倍，且分散性好。
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公开(公告)号：CN101851005B
公开(公告)日：2011-08-31
申请号：CN201010182575.1
申请日：2010-05-17
Applicant: 山东理工大学
Abstract: 本发明提供一种高分散氧化锆纳米粉体的制备方法，属于纳米材料制备技术领域，其特征在于采用以下步骤：(1)在搅拌条件下，将沉淀剂滴定到锆盐溶液中，生成凝胶，然后用去离子水将凝胶抽滤洗涤数次，直至洗液显中性为止；(2)向凝胶中加入莰烯，在50～70℃环境下球磨混合形成料浆；(3)将料浆在室温凝固成型，再把凝固的料浆放在室温空气环境中停留7～10天，待莰烯完全挥发后放到烧结炉中，700～900℃煅烧，即得高分散氧化锆纳米粉体。本发明得到的氧化锆纳米粉体，分散性好，无硬团聚，颗粒小于50nm，工艺简单，操作安全，成本低，易于产业化。
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公开(公告)号：CN110202163B
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN201910424526.5
申请日：2019-05-21
Applicant: 山东理工大学
Abstract: 本发明涉及一种Ag@Au@Pd纳米立方空壳结构的制备，其制备采用湿化学方法，在制备过程中，以Ag纳米立方体为基体，然后利用电化学置换反应和化学还原制备侧面带凹坑或孔洞的Ag@Au纳米立方体，最后通过电化学置换反应在Ag@Au纳米立方体表面沉积Pd原子，得到侧面带孔洞的Ag@Au@Pd纳米立方空壳结构。该方法的特征在于：以Ag纳米立方体为基体，以HAuCl4、L‑抗坏血酸（C6H8O6）、NaOH、去离子水、十六烷基‑三甲基‑氯化铵（Cetyltrimethylammonium chloride,CTAC）为原料制备侧面带凹坑或孔洞的Ag@Au纳米立方体，然后在Ag@Au纳米立方体表面以去离子水、十六烷基‑三甲基‑氯化铵（CTAC）、Na2PdBr4为原料沉积Pd原子，获得Ag@Au@Pd纳米立方空壳结构。
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公开(公告)号：CN103833077B
公开(公告)日：2017-06-23
申请号：CN201410096974.4
申请日：2014-03-17
Applicant: 山东理工大学
IPC: C01G27/02
Abstract: 本发明提供一种水淬法制备氧化铪空心球粉体的方法，属于纳米粉体材料领域，其特征在于：采用水淬法，以四氯化铪为原料，升温速率5～10℃/min，加热至900～1100℃保温0.2～1 h，水淬，水淬溶液温度为10～30℃，水淬溶液为氨水溶液，水淬溶液的PH值为8～10，即得氧化铪空心球粉体。粉体形貌为空心状，球直径为20μm左右，壁厚500nm左右。本发明工艺简单，操作安全，煅烧温度低，空心球分离度好，球形结构完整。
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