一种三维枝晶多孔硅的制备方法及其应用

    公开(公告)号:CN110775978B

    公开(公告)日:2023-08-04

    申请号:CN201911057625.0

    申请日:2019-11-01

    IPC分类号: C01B33/02

    摘要: 本发明提供了一种三维枝晶多孔硅的制备方法及其应用,属于多孔硅制备领域。其技术方案为:所述制备方法包括以下步骤:S1、前驱体合金制备;S2、将步骤S1得到的厚度为5μm~500μm的前驱体合金置于腐蚀液进行脱合金处理,得到脱合金试样;S3、后续处理得到三维微/纳米枝晶结构多孔硅材料。本发明的有益效果为:本发明的采用生产常用的铸造铝硅合金作为原材料,大幅降低生产成本,同时可解决粉末材料难以控制前驱体合金金相组织,进而调控最终制备多孔硅材料结构形貌这一难题;该发明中所述的前驱体合金组织调控及试验条件容易控制,可解决了低成本储能的产业化瓶颈问题,具有良好的商业化前景。

    一种三维枝晶多孔硅的制备方法及其应用

    公开(公告)号:CN110775978A

    公开(公告)日:2020-02-11

    申请号:CN201911057625.0

    申请日:2019-11-01

    IPC分类号: C01B33/02

    摘要: 本发明提供了一种三维枝晶多孔硅的制备方法及其应用,属于多孔硅制备领域。其技术方案为:所述制备方法包括以下步骤:S1、前驱体合金制备;S2、将步骤S1得到的厚度为5μm~500μm的前驱体合金置于腐蚀液进行脱合金处理,得到脱合金试样;S3、后续处理得到三维微/纳米枝晶结构多孔硅材料。本发明的有益效果为:本发明的采用生产常用的铸造铝硅合金作为原材料,大幅降低生产成本,同时可解决粉末材料难以控制前驱体合金金相组织,进而调控最终制备多孔硅材料结构形貌这一难题;该发明中所述的前驱体合金组织调控及试验条件容易控制,可解决了低成本储能的产业化瓶颈问题,具有良好的商业化前景。