本发明提供了一种三维枝晶多孔硅的制备方法及其应用，属于多孔硅制备领域。其技术方案为：所述制备方法包括以下步骤：S1、前驱体合金制备；S2、将步骤S1得到的厚度为5μm~500μm的前驱体合金置于腐蚀液进行脱合金处理，得到脱合金试样；S3、后续处理得到三维微/纳米枝晶结构多孔硅材料。本发明的有益效果为：本发明的采用生产常用的铸造铝硅合金作为原材料，大幅降低生产成本，同时可解决粉末材料难以控制前驱体合金金相组织，进而调控最终制备多孔硅材料结构形貌这一难题；该发明中所述的前驱体合金组织调控及试验条件容易控制，可解决了低成本储能的产业化瓶颈问题，具有良好的商业化前景。