公开(公告)号：CN106252320B

公开(公告)日：2020-10-27

申请号：CN201610404477.5

申请日：2016-06-08

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 渡边莊太 ,  降旗博明 ,  今井诚

IPC: H01L23/495 ,  H01L25/07

Abstract: 本发明提供一种即使将二极管与MOSFET或IGBT搭载于同一封装件，也可以提高散热性的半导体装置。配置于MOSFET芯片(2)的背面的漏电极(2c)通过焊料连接在第二引线框(4)的上表面，配置于二极管芯片(1)的背面的阴极电极(1c)通过焊料连接在第一引线框(3)的上表面。将第一引线框(3)和第二引线框(4)的未连接二极管芯片(1)和MOSFET芯片(2)的背面配置为从密封树脂(9)露出。

公开(公告)号：CN119834779A

公开(公告)日：2025-04-15

申请号：CN202410980865.2

申请日：2024-07-22

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 前田凉 ,  渡边莊太

IPC: H03K17/081 ,  H01L25/07 ,  H03K17/687

Abstract: 本发明提供抑制起因于布线的寄生电感而生成的浪涌电压的半导体装置。半导体装置（1）具有半导体芯片（Q1）和米勒钳位电路（Q2）。半导体芯片（Q1）包括作为主开关的开关元件（11）。米勒钳位电路（Q2）在开关元件（11）处于关断状态时抑制开关元件（11）的栅电极（G1）（第一控制电极）的电位上升。另外，在设置于半导体芯片（Q1）的正面的栅电极（G1）之上配置有米勒钳位电路用开关元件（21），半导体芯片（Q1）和米勒钳位电路用开关元件（21）内置于同一封装体。

公开(公告)号：CN106252320A

公开(公告)日：2016-12-21

申请号：CN201610404477.5

申请日：2016-06-08

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 渡边莊太 ,  降旗博明 ,  今井诚

IPC: H01L23/495 ,  H01L25/07

Abstract: 本发明提供一种即使将二极管与MOSFET或IGBT搭载于同一封装件，也可以提高散热性的半导体装置。配置于MOSFET芯片(2)的背面的漏电极(2c)通过焊料连接在第二引线框(4)的上表面，配置于二极管芯片(1)的背面的阴极电极(1c)通过焊料连接在第一引线框(3)的上表面。将第一引线框(3)和第二引线框(4)的未连接二极管芯片(1)和MOSFET芯片(2)的背面配置为从密封树脂(9)露出。