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公开(公告)号：CN115207113A
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN202210186669.9
申请日：2022-02-28
Applicant: 富士电机株式会社
IPC: H01L29/739 , H01L29/423
Abstract: 本发明提供一种半导体装置，其具备：预先设定的第一沟槽长度的第一沟槽部；第二沟槽长度的第二沟槽部，所述第二沟槽长度比第一沟槽长度长；第一栅极布线部，其与第一沟槽部的端部电连接；以及第二栅极布线部，其与第一栅极布线部电连接，并且与第二沟槽部的端部电连接，第一栅极布线部的每单位长度的电阻率大于第二栅极布线部的每单位长度的电阻率。
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