公开(公告)号：CN1380681A

公开(公告)日：2002-11-20

申请号：CN02105336.7

申请日：2002-02-25

Applicant: 富士施乐株式会社

Inventor： 大津茂実 ,  清水敬司 ,  谷田和敏 ,  圷英一

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/20

CPC classification number: H01L21/02686 ,  C23C14/083 ,  C23C14/58 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/2022

Abstract: 一种在基底材料上形成结晶半导体薄膜的方法,采用低温及简单的步骤和装置,包含以下步骤:在真空或还原性气氛中,保持温度在不低于25℃和不高于300℃情况下,施加紫外线到基底材料上的非晶质半导体薄膜。一种在其基底材料上形成有结晶半导体薄膜的衬底。一种形成滤色器的衬底和一种使用上述衬底的滤色器。

公开(公告)号：CN1435276A

公开(公告)日：2003-08-13

申请号：CN03102079.8

申请日：2003-01-29

Applicant: 富士施乐株式会社 ,  株式会社先端科学技术孵化中心

Inventor： 大津茂実 ,  丸山达哉 ,  圷英一 ,  桥本和仁

IPC: B01J21/06 ,  B01J37/02

CPC classification number: C23C14/58 ,  A01N59/16 ,  C03C17/23 ,  C03C17/3417 ,  C03C2217/212 ,  C03C2217/71 ,  C23C14/083 ,  A01N59/00 ,  A01N25/34 ,  A01N2300/00

Abstract: 一种氧化钛光催化剂薄膜，是表面层含有氧化硅和氧化钛层的氧化钛光催化剂薄膜。以及，一种具有包含氧化硅和氧化钛的表面层的氧化钛光催化剂薄膜的制造方法，其特征在于，它具有在形成氧化钛薄膜的衬底材料上，在含硅化合物的存在下，以及在真空或气体气氛中，一边加热衬底材料，一边在氧化钛薄膜上照射受激准分子光的工序。

公开(公告)号：CN1280009C

公开(公告)日：2006-10-18

申请号：CN03102079.8

申请日：2003-01-29

Applicant: 富士施乐株式会社 ,  株式会社东京大学TLO

Inventor： 大津茂実 ,  丸山达哉 ,  圷英一 ,  桥本和仁

IPC: B01J21/06 ,  B01J37/02

CPC classification number: C23C14/58 ,  A01N59/16 ,  C03C17/23 ,  C03C17/3417 ,  C03C2217/212 ,  C03C2217/71 ,  C23C14/083 ,  A01N59/00 ,  A01N25/34 ,  A01N2300/00

Abstract: 一种具有包含氧化硅和氧化钛的表面层的氧化钛光催化剂薄膜的制造方法，其特征在于，它具有在形成氧化钛薄膜的衬底材料上，在含硅化合物的存在下，以及在真空或气体气氛中，一边加热衬底材料，一边在氧化钛薄膜上照射受激准分子光的工序。