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公开(公告)号：CN119923188A
公开(公告)日：2025-05-02
申请号：CN202510404809.9
申请日：2025-04-02
Applicant: 安徽大学
Abstract: 本发明公开了一种实现垂直交换偏置的无外场辅助全电流翻转的多层薄膜结构及其制备方法和应用，该多层薄膜结构从下至上依次包括重金属打底层、原子层级插层、铁磁层和反铁磁层，该多层薄膜结构通过分子束外延制备得到。本发明通过在反铁磁层中引入各向异性外延应变，实现了室温下显著的垂直交换偏置效应。同时各向异性外延应变诱导反铁磁层中产生了全域的未补偿磁矩，降低了垂直交换偏置翻转的能垒，并进一步通过自旋轨道矩效应实现了无外场下电流驱动的交换偏置翻转，克服了现有技术对外部磁场的依赖，显著提升了自旋电子器件的可集成性与应用潜力。这项技术为高效、高密度磁存储和逻辑器件的设计与开发奠定了基础。
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