公开(公告)号：CN119401823A

公开(公告)日：2025-02-07

申请号：CN202411674951.7

申请日：2024-11-21

Applicant: 安徽大学

Inventor： 柏娜 ,  李赟菲 ,  许耀华

IPC: H02M3/07 ,  G11C16/12 ,  G11C16/14

Abstract: 本申请涉及一种高可靠的对称型电荷泵电路。所述高可靠的对称型电荷泵电路采用两条CTS电荷泵支路并联，构成对称结构的电荷泵，两个并联电荷泵电路各项参数相同，第一条CTS电荷泵支路的时钟与第二条CTS电荷泵支路的时钟相位相反。工作在稳态时，电路中所有晶体管的偏置电压不会超过VDD，晶体管的最大偏置电压减小一半，解决了电荷泵电路的偏置电压过大的问题，电路的可靠性得到提升。

公开(公告)号：CN115394334A

公开(公告)日：2022-11-25

申请号：CN202211023666.X

申请日：2022-08-24

Applicant: 安徽大学

Inventor： 许耀华 ,  周月亮 ,  柏娜 ,  王翊 ,  李赟菲 ,  陈子涵

IPC: G11C11/41 ,  G11C11/413 ,  G11C11/414 ,  G11C11/416

Abstract: 本发明公开了一种18T抗辐照SRAM存储单元电路，其由10个一类MOS管、8个二类MOS管和4个节点组成，10个一类MOS管依次记为P1～P10，8个二类MOS管依次记为N1～N8，4个节点依次为第一存储节点、第二存储节点、第一冗余节点、第二冗余节点。本发明的18T抗辐照SRAM存储单元电路，一类MOS管P5的栅极与一类MOS管P6的漏极电连接，一类MOS管P5的漏极与一类MOS管P6的栅极电连接，形成交叉耦合结构实现完全抵抗单个节点处发生数据翻转；同时，由于第一存储节点与第二存储节点采用双上拉管与双下拉管结构且下拉管分别由不同反馈进行控制，使得双节点同时发生数据翻转时仍能恢复到初始状态。