公开(公告)号：CN107251345A

公开(公告)日：2017-10-13

申请号：CN201680011561.9

申请日：2016-02-18

Applicant: 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司

Inventor： J.米勒 ,  C.史蒂芬 ,  R.瓦尔特 ,  S.哈陶尔 ,  C.鲁姆博尔茨

IPC: H01S5/042 ,  H01S5/20 ,  H01S5/22

Abstract: 一种用于制造电子组件的方法，包括用于以下的步骤：提供具有第一区（110）和邻近第一区的第二区（120）的表面；在表面的第一区之上布置牺牲层（200）；在牺牲层和表面的第二区之上布置钝化层（300）；在表面的第一区之上的钝化层中制作开口（410）；以及移除牺牲层（200）。为此目的，还可以使用光致抗蚀剂层（400）。在掩蔽和蚀刻牺牲层之后，可以通过因而形成的预定断裂点机械移除剩余的光致抗蚀剂层（400）和钝化层（300）的悬垂部分。

公开(公告)号：CN107251345B

公开(公告)日：2020-07-14

申请号：CN201680011561.9

申请日：2016-02-18

Applicant: 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司

Inventor： J.米勒 ,  C.史蒂芬 ,  R.瓦尔特 ,  S.哈陶尔 ,  C.鲁姆博尔茨

IPC: H01S5/042 ,  H01S5/20 ,  H01S5/22

Abstract: 一种用于制造电子组件的方法，包括用于以下的步骤：提供具有第一区（110）和邻近第一区的第二区（120）的表面；在表面的第一区之上布置牺牲层（200）；在牺牲层和表面的第二区之上布置钝化层（300）；在表面的第一区之上的钝化层中制作开口（410）；以及移除牺牲层（200）。为此目的，还可以使用光致抗蚀剂层（400）。在掩蔽和蚀刻牺牲层之后，可以通过因而形成的预定断裂点机械移除剩余的光致抗蚀剂层（400）和钝化层（300）的悬垂部分。