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公开(公告)号：CN101410734B
公开(公告)日：2011-01-12
申请号：CN200780010497.3
申请日：2007-04-02
Applicant: 大日本印刷株式会社
IPC: G02B5/20 , G02F1/1335
CPC classification number: G02B5/201 , G02B5/223 , G02F1/133516
Abstract: 本发明的目的在于提供一种利用喷墨方式形成滤色片的滤色片的制造方法，该滤色片能确保与利用旋转涂布法得到的、具有可得到充分色特性的平均膜厚的像素的滤色片具有同等或几乎同等的色特性和亮度。用于解决上述技术问题的滤色片的制造方法包括如下工序：准备含有颜料、颜料分散剂、粘合剂形成体系、溶剂的特定的滤色片用喷墨墨液的工序(A)；用喷墨方式分别形成R墨液层、G墨液层和B墨液层的工序(B)；以及工序(C)，其使上述各墨液层固化，分别形成平均膜厚在1.5μm～2.5μm、膜厚分布在1.0μm～3.0μm的范围内且每一像素中膜厚在1.5μm以下及2.5μm以上的区域的面积的总比例在5％以下的R像素、G像素和B像素。
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公开(公告)号：CN107533280B
公开(公告)日：2021-02-26
申请号：CN201680022872.5
申请日：2016-04-22
Applicant: 大日本印刷株式会社
Abstract: 本发明提供能够充分降低散斑的屏幕。从投影仪被照射光而显示图像的屏幕具备：分别包含介电常数不同的第1部分和第2部分的复数个粒子；具有复数个粒子的粒子层；以及电极，该电极形成用于通过对粒子层施加电压而驱动粒子层的上述粒子的电场。
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公开(公告)号：CN101410734A
公开(公告)日：2009-04-15
申请号：CN200780010497.3
申请日：2007-04-02
Applicant: 大日本印刷株式会社
IPC: G02B5/20 , G02F1/1335
CPC classification number: G02B5/201 , G02B5/223 , G02F1/133516
Abstract: 本发明的目的在于提供一种利用喷墨方式形成滤色片的滤色片的制造方法，该滤色片能确保与利用旋转涂布法得到的、具有可得到充分色特性的平均膜厚的像素的滤色片具有同等或几乎同等的色特性和亮度。用于解决上述技术问题的滤色片的制造方法包括如下工序：准备含有颜料、颜料分散剂、粘合剂形成体系、溶剂的特定的滤色片用喷墨墨液的工序(A)；用喷墨方式分别形成R墨液层、G墨液层和B墨液层的工序(B)；以及工序(C)，其使上述各墨液层固化，分别形成平均膜厚在1.5μm～2.5μm、膜厚分布在1.0μm～3.0μm的范围内且每一像素中膜厚在1.5μm以下及2.5μm以上的区域的面积的总比例在5％以下的R像素、G像素和B像素。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101154715B
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN200710154373.4
申请日：2007-09-26
Applicant: 大日本印刷株式会社
IPC: H01L51/40
Abstract: 本发明提供一种有机半导体元件的制造方法，具有有机半导体晶体管形成工序，该有机半导体晶体管形成工序包括：有机半导体层形成工序，利用基板，在所述基板上形成由有机半导体材料构成的有机半导体层；钝化层形成工序，在所述有机半导体层上以图案状形成相对真空紫外光具有遮光性的钝化层；和有机半导体层图案形成工序，通过将真空紫外光照射到所述钝化层及所述有机半导体层上，对没有形成所述钝化层的部位的有机半导体层进行蚀刻，从而，可以高精度、简单地图案形成有机半导体层，能够以高的生产率制造具有有机半导体晶体管的有机半导体元件。
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公开(公告)号：CN101154712B
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN200710154385.7
申请日：2007-09-26
Applicant: 大日本印刷株式会社
CPC classification number: H01L51/0541 , H01L27/3244
Abstract: 本发明提供一种有机半导体元件，具有：基板；形成在上述基板上的源电极及漏电极；形成在上述源电极及上述漏电极上，由绝缘性材料构成，并且按照由上述源电极及上述漏电极构成的沟道区域上成为开口部的方式形成，且具备作为层间绝缘层的功能的绝缘性分隔部；在上述绝缘性分隔部的开口部内，且形成在上述源电极及上述漏电极上，由有机半导体材料构成的有机半导体层；形成在上述有机半导体层上，由绝缘性树脂材料构成的栅极绝缘层；和形成在上述栅极绝缘层上的栅电极；上述绝缘性分隔部的高度在0.1μm～1.5μm的范围内。从而，可提供具备晶体管性能良好的有机半导体晶体管，且能够以高生产率制造的有机半导体元件。
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公开(公告)号：CN101154715A
公开(公告)日：2008-04-02
申请号：CN200710154373.4
申请日：2007-09-26
Applicant: 大日本印刷株式会社
IPC: H01L51/40
Abstract: 本发明提供一种有机半导体元件的制造方法，具有有机半导体晶体管形成工序，该有机半导体晶体管形成工序包括：有机半导体层形成工序，利用基板，在所述基板上形成由有机半导体材料构成的有机半导体层；钝化层形成工序，在所述有机半导体层上以图案状形成相对真空紫外光具有遮光性的钝化层；和有机半导体层图案形成工序，通过将真空紫外光照射到所述钝化层及所述有机半导体层上，对没有形成所述钝化层的部位的有机半导体层进行蚀刻，从而，可以高精度、简单地图案形成有机半导体层，能够以高的生产率制造具有有机半导体晶体管的有机半导体元件。
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公开(公告)号：CN101154714A
公开(公告)日：2008-04-02
申请号：CN200710162408.9
申请日：2007-09-29
Applicant: 大日本印刷株式会社
Abstract: 本发明涉及使用有机半导体晶体管的有机半导体元件及其制造方法、有机晶体管阵列及显示器。该有机半导体元件，具有有机半导体晶体管，该有机半导体晶体管包括：基板和形成在基板上的栅极；形成在该栅极上的栅极绝缘层；形成在该栅极绝缘层上的作为多孔质体的源极和漏极；仅形成在该源极和漏极之间的由有机半导体材料构成的有机半导体层。
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公开(公告)号：CN101154712A
公开(公告)日：2008-04-02
申请号：CN200710154385.7
申请日：2007-09-26
Applicant: 大日本印刷株式会社
CPC classification number: H01L51/0541 , H01L27/3244
Abstract: 本发明提供一种有机半导体元件，具有：基板；形成在上述基板上的源电极及漏电极；形成在上述源电极及上述漏电极上，由绝缘性材料构成，并且按照由上述源电极及上述漏电极构成的沟道区域上成为开口部的方式形成，且具备作为层间绝缘层的功能的绝缘性分隔部；在上述绝缘性分隔部的开口部内，且形成在上述源电极及上述漏电极上，由有机半导体材料构成的有机半导体层；形成在上述有机半导体层上，由绝缘性树脂材料构成的栅极绝缘层；和形成在上述栅极绝缘层上的栅电极；上述绝缘性分隔部的高度在0.1μm～1.5μm的范围内。从而，可提供具备晶体管性能良好的有机半导体晶体管，且能够以高生产率制造的有机半导体元件。
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