公开(公告)号：CN111490455B

公开(公告)日：2023-06-20

申请号：CN201911208715.5

申请日：2019-11-30

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 野口哲宽 ,  谷善彦 ,  谷本佳美 ,  津田有三

IPC: H01S5/22 ,  H01S5/323 ,  H01S5/343

Abstract: 提供一种改善动作电压且可靠性高的氮化物半导体激光元件。氮化物半导体激光元件至少包括：设置在第二导电型半导体层的脊部、覆盖所述脊部的上表面与所述脊部的两个侧面的一部分的导电性氧化物层、覆盖所述导电性氧化物层的一部分的电介质层、以及覆盖所述导电性氧化物层与所述电介质层的第一金属层，所述导电性氧化物层中的层叠于所述脊部的上表面的部分自所述电介质层露出，同时被所述第一金属层覆盖。

公开(公告)号：CN111490455A

公开(公告)日：2020-08-04

申请号：CN201911208715.5

申请日：2019-11-30

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 野口哲宽 ,  谷善彦 ,  谷本佳美 ,  津田有三

IPC: H01S5/22 ,  H01S5/323 ,  H01S5/343

Abstract: 提供一种改善动作电压且可靠性高的氮化物半导体激光元件。氮化物半导体激光元件至少包括：设置在第二导电型半导体层的脊部、覆盖所述脊部的上表面与所述脊部的两个侧面的一部分的导电性氧化物层、覆盖所述导电性氧化物层的一部分的电介质层、以及覆盖所述导电性氧化物层与所述电介质层的第一金属层，所述导电性氧化物层中的层叠于所述脊部的上表面的部分自所述电介质层露出，同时被所述第一金属层覆盖。