公开(公告)号：CN1501558A

公开(公告)日：2004-06-02

申请号：CN200310116121.4

申请日：2003-11-14

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 菅康夫

IPC: H01S5/22

CPC classification number: H01S5/2231 ,  H01S5/0658 ,  H01S5/2209 ,  H01S5/2218 ,  H01S5/4031 ,  H01S5/4087

Abstract: 在自脉冲型半导体激光器中，在第一导电型的半导体基底(1)上相继地堆叠第一导电型的第一覆盖层2，活性层(3)，和具有条状脊峰部分(4a)的第二导电型的第二覆盖层(4)。在形成在脊峰部分(4a)两侧表面和除第二覆盖层(4)的脊峰部分外的两个平坦部分(4b)上的隐埋层中，可饱和吸收层(7)形成在具有折射率等于或大于第二覆盖层的折射率，且不吸收激光的材料层(8)上。

公开(公告)号：CN110581438B

公开(公告)日：2021-06-15

申请号：CN201910490340.X

申请日：2019-06-06

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 菅康夫 ,  曾我部隆一

IPC: H01S5/223 ,  H01S5/02315 ,  H01S5/343

Abstract: 半导体激光元件经由焊料层粘接面和基座而形成，该面为条纹状的发光区域所形成的半导体激光元件的与半导体基板相反侧的面，该半导体激光元件包括平台部，其在由焊料层粘接的半导体激光元件的表面上，通过槽部从成为通电部的脊部分离。金属覆盖包含槽部的区域的上表面。平台部以分散为多个的方式被分割。

公开(公告)号：CN110581438A

公开(公告)日：2019-12-17

申请号：CN201910490340.X

申请日：2019-06-06

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 菅康夫 ,  曾我部隆一

IPC: H01S5/223 ,  H01S5/022

Abstract: 半导体激光元件经由焊料层粘接面和基座而形成，该面为条纹状的发光区域所形成的半导体激光元件的与半导体基板相反侧的面，该半导体激光元件包括平台部，其在由焊料层粘接的半导体激光元件的表面上，通过槽部从成为通电部的脊部分离。金属覆盖包含槽部的区域的上表面。平台部以分散为多个的方式被分割。

公开(公告)号：CN1280962C

公开(公告)日：2006-10-18

申请号：CN200310116121.4

申请日：2003-11-14

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 菅康夫

IPC: H01S5/30 ,  H01S5/22

CPC classification number: H01S5/2231 ,  H01S5/0658 ,  H01S5/2209 ,  H01S5/2218 ,  H01S5/4031 ,  H01S5/4087

Abstract: 在自脉冲型半导体激光器中，在第一导电型的半导体基底(1)上相继地堆叠第一导电型的第一覆盖层2，活性层(3)，和具有条状脊峰部分(4a)的第二导电型的第二覆盖层(4)。在形成在脊峰部分(4a)两侧表面和除第二覆盖层(4)的脊峰部分外的两个平坦部分(4b)上的隐埋层中，可饱和吸收层(7)形成在具有折射率等于或大于第二覆盖层的折射率，且不吸收激光的材料层(8)上。