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公开(公告)号：CN101436596B
公开(公告)日：2011-04-06
申请号：CN200810176079.8
申请日：2008-11-11
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L27/115 , H01L23/552
CPC classification number: H01L27/12 , B82Y10/00 , H01L27/11526 , H01L27/11573 , H01L29/78633
Abstract: 本发明涉及一种半导体装置、显示装置和移动装置。本发明的半导体装置包括：绝缘基板，形成在绝缘基板以上并具有存储保持部分的非易失性存储器，以及覆盖存储保持部分的上侧、下侧或者两侧的至少一个遮光体，其中遮光体中至少一个以遮光体的突起度为0.1或更大的方式安装，遮光体的突起度通过(从存储保持部分突起的遮光体的长度)/(遮光体和存储保持部分之间的距离)来定义。
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公开(公告)号：CN106664082A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201580035608.0
申请日：2015-02-24
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H03K17/16 , H02M3/155 , H03K17/10 , H03K17/695
Abstract: 将高耐压的常导通型晶体管(T1)与低耐压的常截止型晶体管(T2)串联连接，并设置与晶体管(T2)反向并联的二极管(D1、D2)。将晶体管(T1)的栅极端子连接到晶体管(T2)的源极端子，并设置对晶体管(T2)的栅极端子输出控制信号的栅极驱动电路(11)。使二极管(D2)的正向电压低于二极管(D1)的正向电压，使经由二极管(D2)将节点(N2)、(N3)相连的路径的电感成分大于经由二极管(D1)将节点(N2)、(N3)相连的路径的电感成分。由此，提供包括串联连接的晶体管且削减了变为截止时的瞬态电流的开关电路。
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公开(公告)号：CN106664082B
公开(公告)日：2019-11-15
申请号：CN201580035608.0
申请日：2015-02-24
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H03K17/16 , H02M3/155 , H03K17/10 , H03K17/695
Abstract: 将高耐压的常导通型晶体管(T1)与低耐压的常截止型晶体管(T2)串联连接，并设置与晶体管(T2)反向并联的二极管(D1、D2)。将晶体管(T1)的栅极端子连接到晶体管(T2)的源极端子，并设置对晶体管(T2)的栅极端子输出控制信号的栅极驱动电路(11)。使二极管(D2)的正向电压低于二极管(D1)的正向电压，使经由二极管(D2)将节点(N2)、(N3)相连的路径的电感成分大于经由二极管(D1)将节点(N2)、(N3)相连的路径的电感成分。由此，提供包括串联连接的晶体管且削减了变为截止时的瞬态电流的开关电路。
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公开(公告)号：CN103036466A
公开(公告)日：2013-04-10
申请号：CN201210368233.8
申请日：2012-09-28
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H02M7/5387 , H02M1/44 , B60L11/18
CPC classification number: H02M1/088 , H02M3/1582 , H02M3/1588 , H02M7/5387 , H02M2001/0051 , Y02B70/1466 , Y02T10/7258
Abstract: 本发明提供一种切换式电源装置，该切换式电源装置配备有：高耐受电压第一晶体管，其第一电极连接到第一节点；低耐受电压第二晶体管，其第一电极连接到所述第一晶体管的第二电极，以及其第二电极连接到第二节点；以及驱动电路。所述第一和第二晶体管中的每一个具有在正向方向上连接在所述第二和第一电极之间的寄生二极管。在电流要从所述第一节点流动到所述第二节点的情况中，所述驱动电路接通所述第一和第二晶体管，并且在电流要从所述第二节点流动到所述第一节点的情况中，所述驱动电路接通所述第一晶体管而关断所述第二晶体管。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106559063A
公开(公告)日：2017-04-05
申请号：CN201610682174.X
申请日：2016-08-17
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H03K17/687 , H02M1/088
CPC classification number: H02M1/088 , G11C5/145 , H02M3/158 , H02M7/537 , H03K17/102 , H03K17/164 , H03K17/687
Abstract: 提供性能的波动小的半导体装置。升压电路具备并联连接的多个开关电路，各开关电路包含第1晶体管～第3晶体管(Q4、Q2、Q3)和电阻元件(R1)。第1晶体管(Q4)、电阻元件(R1)以及第2晶体管(Q2)串联连接在第1节点(N1)和第2节点(N2)之间，第3晶体管(Q3)连接到第1晶体管(Q4)的源极与第2节点(N2)之间。第2晶体管(Q2)的电导Gm(S)设定在1≤Gm≤1000的范围内，且电阻元件(R1)的电阻值r(Ω)设定在7×Gm‑1.6≤r≤170×Gm‑1的范围内。由于是使第2晶体管(Q2)导通而使得高耐压的晶体管(Q4)导通，因此，导通转变时间的波动变小。
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公开(公告)号：CN106300957A
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201610457033.8
申请日：2016-06-22
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: H02M1/4225 , H02M1/4233 , H02M7/487 , Y02B70/126 , Y02P80/112 , H02M1/4216 , H02M7/06
Abstract: 功率因数改善电路(1)具备：线圈(11)和MOSFET(21、22)，其对输入电压进行升压，生成升压电压；电容器(41)，其一端连接到输出端子(42)，其一端连接到中间节点(Nm)，另一端连接到输出端子(54)。当在第1动作模式中输入正电压时，将升压电压施加到电容器(41)的两端，当在第1动作模式中输入负电压时，将升压电压施加到电容器(42)的两端，在第2动作模式中，将升压电压施加到串联连接的电容器(41、42)的两端。由此，提供能够高效率地适应大范围的输入电压的功率因数改善电路。(53)，另一端连接到中间节点(Nm)；以及电容器
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公开(公告)号：CN103036466B
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：CN201210368233.8
申请日：2012-09-28
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H02M7/5387 , H02M1/44 , B60L11/18
CPC classification number: H02M1/088 , H02M3/1582 , H02M3/1588 , H02M7/5387 , H02M2001/0051 , Y02B70/1466 , Y02T10/7258
Abstract: 本发明提供一种切换式电源装置，该切换式电源装置配备有：高耐受电压第一晶体管，其第一电极连接到第一节点；低耐受电压第二晶体管，其第一电极连接到所述第一晶体管的第二电极，以及其第二电极连接到第二节点；以及驱动电路。所述第一和第二晶体管中的每一个具有在正向方向上连接在所述第二和第一电极之间的寄生二极管。在电流要从所述第一节点流动到所述第二节点的情况中，所述驱动电路接通所述第一和第二晶体管，并且在电流要从所述第二节点流动到所述第一节点的情况中，所述驱动电路接通所述第一晶体管而关断所述第二晶体管。
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公开(公告)号：CN104956283A
公开(公告)日：2015-09-30
申请号：CN201380071705.6
申请日：2013-12-13
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: F25B27/00 , F25B49/025 , F25B2600/021 , G05F1/67 , H02J7/345 , H02J7/35 , H02P7/06 , H02P27/06 , H02P29/032 , Y02B30/741 , Y02E10/58
Abstract: 太阳能利用系统(100)具备：太阳能电池板(101)、由太阳能输出电功率驱动的电机(122)以及防止驱动中的电机失速的电机失速防止装置，选择如下任意一种电机失速防止装置作为上述电机失速防止装置：(a)将太阳能输出电压限制为比太阳能电池板在该时点输出最大电功率的电压高的电压的电机失速防止装置；(b)将太阳能输出电压限制为在P-V曲线上当改变该输出电压时变化率为负的电压的电机失速防止装置；以及(c)包括与太阳能电池板并联连接而积蓄太阳能电池板产生的电功率的电容器(317)的电机失速防止装置。
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公开(公告)号：CN101436596A
公开(公告)日：2009-05-20
申请号：CN200810176079.8
申请日：2008-11-11
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L27/115 , H01L23/552
CPC classification number: H01L27/12 , B82Y10/00 , H01L27/11526 , H01L27/11573 , H01L29/78633
Abstract: 本发明涉及一种半导体装置、显示装置和移动装置。本发明的半导体装置包括：绝缘基板，形成在绝缘基板以上并具有存储保持部分的非易失性存储器，以及覆盖存储保持部分的上侧、下侧或者两侧的至少一个遮光体，其中遮光体中至少一个以遮光体的突起度为0.1或更大的方式安装，遮光体的突起度通过(从存储保持部分突起的遮光体的长度)/(遮光体和存储保持部分之间的距离)来定义。
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