非易失性半导体存储装置及其驱动方法

    公开(公告)号:CN102227778A

    公开(公告)日:2011-10-26

    申请号:CN200980147210.0

    申请日:2009-11-18

    Abstract: 提供一边能够以位单位进行改写,一边可实现存储器单元的寿命的延长的非易失性半导体存储装置。在命令信息表示写入的情况下,比较部(37)对在对象存储器单元中写入的已写入数据和写入对象数据进行比较,将比较结果赋予到写入/读出控制部(40),在比较结果相同的情况下,所述写入/读出控制部(40)对译码器部(51A、51B、53)不赋予写入指示,在所述比较结果相异的情况下,所述写入/读出控制部(40)对所述译码器部赋予对对象存储器单元将写入对象数据写入的写入指示。

    非易失性半导体存储装置及其驱动方法

    公开(公告)号:CN102227778B

    公开(公告)日:2014-11-12

    申请号:CN200980147210.0

    申请日:2009-11-18

    Abstract: 提供一边能够以位单位进行改写,一边可实现存储器单元的寿命的延长的非易失性半导体存储装置。在命令信息表示写入的情况下,比较部(37)对在对象存储器单元中写入的已写入数据和写入对象数据进行比较,将比较结果赋予到写入/读出控制部(40),在比较结果相同的情况下,所述写入/读出控制部(40)对译码器部(51A、51B、53)不赋予写入指示,在所述比较结果相异的情况下,所述写入/读出控制部(40)对所述译码器部赋予对对象存储器单元将写入对象数据写入的写入指示。

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