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公开(公告)号：CN111193187A
公开(公告)日：2020-05-22
申请号：CN201911108081.6
申请日：2019-11-13
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01S5/30
Abstract: 本发明可实现抑制电子的载流子溢出、且即便在高温环境下也稳定地进行驱动的AlGaInPAs系的半导体激光元件。所述AlGaInPAs系的半导体激光元件的特征在于，至少具有：基板；n型包覆层；n型引导层；活性层；在掺杂剂中包含Mg并由AlGaInP构成的p型引导层；在掺杂剂中包含Mg并由AlInP构成的p型包覆层；以及由GaAs构成的p型盖层，在从p型引导层至p型包覆层之间，具有抑制从n型包覆层朝向活性层移动的电子流入至p型引导层或者p型包覆层的Mg的原子浓度的峰值。
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公开(公告)号：CN110581438B
公开(公告)日：2021-06-15
申请号：CN201910490340.X
申请日：2019-06-06
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01S5/223 , H01S5/02315 , H01S5/343
Abstract: 半导体激光元件经由焊料层粘接面和基座而形成，该面为条纹状的发光区域所形成的半导体激光元件的与半导体基板相反侧的面，该半导体激光元件包括平台部，其在由焊料层粘接的半导体激光元件的表面上，通过槽部从成为通电部的脊部分离。金属覆盖包含槽部的区域的上表面。平台部以分散为多个的方式被分割。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101013794A
公开(公告)日：2007-08-08
申请号：CN200710007716.4
申请日：2007-01-29
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: H01S5/028 , B82Y20/00 , H01S5/0282 , H01S5/0287 , H01S5/162 , H01S5/34326
Abstract: 本发明提供了一种半导体激光二极管(1)，半导体激光二极管(1)包括具有有源层(5)的半导体衬底(2)，在有源层(5)的两端上具有一对彼此相对的腔面(6a、6b)；以及顺序堆叠在一个腔面(6a)上的氧化物的第一介电膜(3)和氮氧化物的第二介电膜(4)，其具有足够的初始特性，和具有出色热辐射能力的膜结构，用于允许长时间的稳定的高输出激光发射，而不减小发射端上的灾变光学损伤水平。
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公开(公告)号：CN101902012B
公开(公告)日：2012-09-26
申请号：CN201010194130.5
申请日：2010-05-27
Applicant: 夏普株式会社
Inventor： 曾我部隆一
IPC: H01S5/028
CPC classification number: H01S5/02252 , B82Y20/00 , H01S5/0202 , H01S5/0287 , H01S5/0683 , H01S5/1221 , H01S5/2009 , H01S5/22 , H01S5/34333
Abstract: 本发明提供了一种半导体激光装置，其结构包括半导体激光器芯片，具有发射面和反射面，发射面和反射面是谐振器的相对的端面；以及光电二极管，用于探测从所述反射面出射的光，光电二极管在光电二极管的灵敏度随波长增长而增高的波长带中使用。发射面具有形成于所述发射面上的第一电介质多层膜，反射面具有形成于所述反射面上的第二电介质多层膜，第一电介质多层膜的反射率在峰值时的波长λf和第二电介质多层膜的反射率在峰值时的波长λr满足关系λf＜λr。
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公开(公告)号：CN101013794B
公开(公告)日：2011-03-16
申请号：CN200710007716.4
申请日：2007-01-29
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: H01S5/028 , B82Y20/00 , H01S5/0282 , H01S5/0287 , H01S5/162 , H01S5/34326
Abstract: 本发明提供了一种半导体激光二极管(1)，半导体激光二极管(1)包括具有有源层(5)的半导体衬底(2)，在有源层(5)的两端上具有一对彼此相对的腔面(6a、6b)；以及顺序堆叠在一个腔面(6a)上的氧化物的第一介电膜(3)和氮氧化物的第二介电膜(4)，其具有足够的初始特性，和具有出色热辐射能力的膜结构，用于允许长时间的稳定的高输出激光发射，而不减小发射端上的灾变光学损伤水平。
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公开(公告)号：CN101902012A
公开(公告)日：2010-12-01
申请号：CN201010194130.5
申请日：2010-05-27
Applicant: 夏普株式会社
Inventor： 曾我部隆一
IPC: H01S5/028
CPC classification number: H01S5/02252 , B82Y20/00 , H01S5/0202 , H01S5/0287 , H01S5/0683 , H01S5/1221 , H01S5/2009 , H01S5/22 , H01S5/34333
Abstract: 本发明提供了一种半导体激光装置，其结构包括半导体激光器芯片，具有发射面和反射面，发射面和反射面是谐振器的相对的端面；以及光电二极管，用于探测从所述反射面出射的光，光电二极管在光电二极管的灵敏度随波长增长而增高的波长带中使用。发射面具有形成于所述发射面上的第一电介质多层膜，反射面具有形成于所述反射面上的第二电介质多层膜，第一电介质多层膜的反射率在峰值时的波长λf和第二电介质多层膜的反射率在峰值时的波长λr满足关系λf＜λr。
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