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公开(公告)号：CN101257750B
公开(公告)日：2011-07-06
申请号：CN200810080676.0
申请日：2008-02-28
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H05B37/00 , H05B37/02 , F21S4/00 , F21Y101/02
CPC classification number: H05B33/0869 , H05B33/0815 , H05B33/0821 , H05B33/0863 , Y02B20/346
Abstract: 提供了一种发光二极管驱动电路和发光二极管发光设备。驱动器电路3在来自商用电源4的交流电力的每个半波将脉冲信号送至SSR 2，从而单独地控制形成LED单元1的LED组1x和1y的发光量，LED组1x和1y并联使得指向不同方向。即，用于控制LED组1x的发光持续时间的第一脉冲信号和用于控制LED组1y的发光持续时间的第二脉冲信号从驱动器电路3送至SSR 2。
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公开(公告)号：CN1591912A
公开(公告)日：2005-03-09
申请号：CN200410076923.1
申请日：2004-09-02
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: H01L31/1113
Abstract: 为了提供一种具有高的击穿电压和很少变化光灵敏度的光控晶闸管，采用改善器件的灵敏度和击穿电压同时又保持器件小尺寸的方法，该器件包括一个硅基片(1)；一个晶体管部分，它包括一个阳极区域(3，3’)，一个栅极区域(4’，4)和一个阴极区域(6’，6)并且设置在硅基片的第一主表面上；一个光接受部分，用于接受来自外边的光；和一个电极(7，7’)，用于建立在阳极区域和阴极区域之间的欧姆接触。光接受部分包括一层通过透明绝缘薄膜(10)重叠在所述硅基片上的掺氧多晶硅薄膜(11)并且设置成环绕着所述晶体管部分。电极(7，7’)设置在所述晶体管部分上并且具有双结构，该双结构包括一个中心部分(7a，7a’)和一个环绕着中心部分的外围部分(7b，7b’)并且中心部分和外围部分进行电连接。
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公开(公告)号：CN101257750A
公开(公告)日：2008-09-03
申请号：CN200810080676.0
申请日：2008-02-28
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H05B37/00 , H05B37/02 , F21S4/00 , F21Y101/02
CPC classification number: H05B33/0869 , H05B33/0815 , H05B33/0821 , H05B33/0863 , Y02B20/346
Abstract: 提供了一种发光二极管驱动电路和发光二极管发光设备。驱动器电路3在来自商用电源4的交流电力的每个半波将脉冲信号送至SSR 2，从而单独地控制形成LED单元1的LED组1x和1y的发光量，LED组1x和1y并联使得指向不同方向。即，用于控制LED组1x的发光持续时间的第一脉冲信号和用于控制LED组1y的发光持续时间的第二脉冲信号从驱动器电路3送至SSR 2。
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公开(公告)号：CN100362669C
公开(公告)日：2008-01-16
申请号：CN200410076923.1
申请日：2004-09-02
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: H01L31/1113
Abstract: 为了提供一种具有高的击穿电压和很少变化光灵敏度的光控晶闸管，采用改善器件的灵敏度和击穿电压同时又保持器件小尺寸的方法，该器件包括一个硅基片(1)；一个晶体管部分，它包括一个阳极区域(3，3’)，一个栅极区域(4’，4)和一个阴极区域(6’，6)并且设置在硅基片的第一主表面上；一个光接受部分，用于接受来自外边的光；和一个电极(7，7’)，用于建立在阳极区域和阴极区域之间的欧姆接触。光接受部分包括一层通过透明绝缘薄膜(10)重叠在所述硅基片上的掺氧多晶硅薄膜(11)并且设置成环绕着所述晶体管部分。电极(7，7’)设置在所述晶体管部分上并且具有双结构，该双结构包括一个中心部分(7a，7a’)和一个环绕着中心部分的外围部分(7b，7b’)并且中心部分和外围部分进行电连接。
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