公开(公告)号：CN107055591A

公开(公告)日：2017-08-18

申请号：CN201710297841.7

申请日：2017-04-29

Applicant: 复旦大学

Inventor： 李燕梅 ,  胡林峰 ,  宋云 ,  蒋颖畅 ,  孙大林

IPC: C01G15/00

CPC classification number: C01G15/006 ,  C01P2002/72 ,  C01P2004/03 ,  C01P2004/61 ,  C01P2006/40

Abstract: 本发明属于半导体材料技术领域，具体为一种半导体CuGaS2六边形片状纳米晶体的制备方法。本发明采用水热法合成出边长为2~5微米、厚度在300纳米以内的CuGaO2六边形片状晶体，用硫化的工艺硫化成四方晶系的CuGaS2六边形片状晶体。该材料可广泛用于电池、光探测器、光催化或太阳能电池等。该工艺具有很好的普适性，生产过程简单、环保，克服了传统硫化物合成方面存在的工艺复杂、低效、低产、对环境存在污染等缺点，该制备方法可以广泛应用于一些硫化物材料的合成。