公开(公告)号：CN105320782A

公开(公告)日：2016-02-10

申请号：CN201410268380.7

申请日：2014-06-16

Applicant: 复旦大学

Inventor： 曾璇 ,  邵嗣烘 ,  严昌浩 ,  蔡伟 ,  王冬

IPC: G06F17/50

Abstract: 本发明属半导体可制造性设计领域，具体涉及一种考虑研磨液影响的特征尺寸级化学机械抛光工艺仿真方法，该方法采用微小粒子表征化学机械抛光中的工艺材料，用NS流体力学方程表述粒子间相互作用，通过光滑化粒子流体动力学方法进行计算获得抛光仿真结果。本发明不依赖经验模型，只需根据工艺材料参数即可完成仿真，具有普适性强的优点。同时，仿真过程模拟抛光垫、抛光液、抛光颗粒与硅片之间实际物理过程，精度高。本发明可以对各类工艺条件进行有效仿真，为化学机械抛光工艺流程优化提供有效参考。

公开(公告)号：CN105320782B

公开(公告)日：2019-06-21

申请号：CN201410268380.7

申请日：2014-06-16

Applicant: 复旦大学

Inventor： 曾璇 ,  邵嗣烘 ,  严昌浩 ,  蔡伟 ,  王冬

IPC: G06F17/50

Abstract: 本发明属半导体可制造性设计领域，具体涉及一种考虑研磨液影响的特征尺寸级化学机械抛光工艺仿真方法，该方法采用微小粒子表征化学机械抛光中的工艺材料，用NS流体力学方程表述粒子间相互作用，通过光滑化粒子流体动力学方法进行计算获得抛光仿真结果。本发明不依赖经验模型，只需根据工艺材料参数即可完成仿真，具有普适性强的优点。同时，仿真过程模拟抛光垫、抛光液、抛光颗粒与硅片之间实际物理过程，精度高。本发明可以对各类工艺条件进行有效仿真，为化学机械抛光工艺流程优化提供有效参考。