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公开(公告)号:CN105893644A
公开(公告)日:2016-08-24
申请号:CN201410771314.1
申请日:2014-12-15
Applicant: 复旦大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明属于集成电路半导体制造技术领域,涉及一种电子束和双重图案光刻工艺中版图图案分解的方法。本发明将同时最小化电子束使用面积和缝合点数目的版图图案分解问题表示成删点两划分问题;所述方法包括:根据输入版图文件和冲突距离B,构建含虚拟点的冲突图G;将平面化后的冲突图上删点两划分问题转化为奇数环覆盖问题;用primal-dual方法求解奇数环覆盖问题;后处理剩余冲突边。本方法可行性高,能够在合理的时间内获得优于传统两阶段方法的求解结果,可用于解决大规模版图的图案分解问题。
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公开(公告)号:CN105677932A
公开(公告)日:2016-06-15
申请号:CN201410663517.9
申请日:2014-11-19
Applicant: 复旦大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明属于集成电路技术领域,具体涉及一种用于带后硅可调寄存器电路的统计时序分析方法。所述方法包括:主元压缩得到N个独立随机变量;生成稀疏网格配置点;计算每个配置点的最小时钟周期;计算最小时钟周期广义多项式混沌展开系数;计算带后硅可调寄存器电路的良率。本方法可行性高,能够在获得和现有方法相比拟的精度情况下,显著减少程序运行时间,可用于解决较大规模带后硅可调寄存器电路的统计时序分析问题。
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公开(公告)号:CN105893644B
公开(公告)日:2020-06-09
申请号:CN201410771314.1
申请日:2014-12-15
Applicant: 复旦大学
IPC: G06F30/392
Abstract: 本发明属于集成电路半导体制造技术领域,涉及一种电子束和双重图案光刻工艺中版图图案分解的方法。本发明将同时最小化电子束使用面积和缝合点数目的版图图案分解问题表示成删点两划分问题;所述方法包括:根据输入版图文件和冲突距离B,构建含虚拟点的冲突图G;将平面化后的冲突图上删点两划分问题转化为奇数环覆盖问题;用primal‑dual方法求解奇数环覆盖问题;后处理剩余冲突边。本方法可行性高,能够在合理的时间内获得优于传统两阶段方法的求解结果,可用于解决大规模版图的图案分解问题。
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公开(公告)号:CN105893645A
公开(公告)日:2016-08-24
申请号:CN201410802288.4
申请日:2014-12-19
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于集成电路半导体制造技术领域,涉及一种电子束和多重图案光刻混合工艺中版图图案分解方法,该方法将最小化电子束使用面积和缝合点数目的版图图案分解问题表示成删点K划分问题。所述方法包括步骤:根据输入版图文件和冲突距离B,构建冲突图G;然后随机产生删点K划分初始解,应用已有的删点两划分算法对当前最优解重复迭代优化,直到当前最优解若干次未发生更新;最后从中挑选最优的删点K划分结果作为输出。本发明迭代应用已有的删点两划分算法,并采用随机多起始点策略试图寻找全局最优解,达到电子束和多重图案混合刻蚀工艺中版图图案分解的目的。
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公开(公告)号:CN105893645B
公开(公告)日:2020-06-12
申请号:CN201410802288.4
申请日:2014-12-19
Applicant: 复旦大学
IPC: G06F30/398
Abstract: 本发明属于集成电路半导体制造技术领域,涉及一种电子束和多重图案光刻混合工艺中版图图案分解方法,该方法将最小化电子束使用面积和缝合点数目的版图图案分解问题表示成删点K划分问题。所述方法包括步骤:根据输入版图文件和冲突距离B,构建冲突图G;然后随机产生删点K划分初始解,应用已有的删点两划分算法对当前最优解重复迭代优化,直到当前最优解若干次未发生更新;最后从中挑选最优的删点K划分结果作为输出。本发明迭代应用已有的删点两划分算法,并采用随机多起始点策略试图寻找全局最优解,达到电子束和多重图案混合刻蚀工艺中版图图案分解的目的。
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