公开(公告)号：CN109545760B

公开(公告)日：2020-05-26

申请号：CN201811227037.2

申请日：2018-10-22

Applicant: 复旦大学

Inventor： 张卫 ,  孙清清 ,  黄伟 ,  察明扬

IPC: H01L23/367 ,  H01L29/10 ,  H01L29/43 ,  H01L21/335 ,  H01L29/778

Abstract: 本发明属于半导体技术领域，本发明为栅镇流结构的射频AlGaN/GaN HEMTs器件及其制备方法。其器件包括SiC上AlGaN/GaN衬底、栅极、源极和漏极；栅极为掺杂多晶硅，方阻在20~40Ω/□之间。本发明利用掺杂的多晶硅作为栅，势垒高度高，可获得比传统Ni/Au肖特基栅更小的栅漏电，降低射频功率器件的功耗，提高效率。另外，掺杂的多晶硅栅有较低的Rg，起到镇流电阻的作用。本发明可用于多指栅器件AlGaN/GaN HEMTs，可通过调整Lg长度，达到优化Wg长度的目的，从而有效改善器件的散热，也可应用于AlGaN/GaN MIS‑HEMTs，多晶硅栅可被偏置更宽的Vgs摆幅。

公开(公告)号：CN109545760A

公开(公告)日：2019-03-29

申请号：CN201811227037.2

申请日：2018-10-22

Applicant: 复旦大学

Inventor： 张卫 ,  孙清清 ,  黄伟 ,  察明扬

IPC: H01L23/367 ,  H01L29/10 ,  H01L29/43 ,  H01L21/335 ,  H01L29/778

Abstract: 本发明属于半导体技术领域，本发明为栅镇流结构的射频AlGaN/GaN HEMTs器件及其制备方法。其器件包括SiC上AlGaN/GaN衬底、栅极、源极和漏极；栅极为掺杂多晶硅，方阻在20~40Ω/□之间。本发明利用掺杂的多晶硅作为栅，势垒高度高，可获得比传统Ni/Au肖特基栅更小的栅漏电，降低射频功率器件的功耗，提高效率。另外，掺杂的多晶硅栅有较低的Rg，起到镇流电阻的作用。本发明可用于多指栅器件AlGaN/GaN HEMTs，可通过调整Lg长度，达到优化Wg长度的目的，从而有效改善器件的散热，也可应用于AlGaN/GaN MIS-HEMTs，多晶硅栅可被偏置更宽的Vgs摆幅。

公开(公告)号：CN108649069A

公开(公告)日：2018-10-12

申请号：CN201810357349.9

申请日：2018-04-20

Applicant: 复旦大学

Inventor： 黄伟 ,  察明扬 ,  陈琳 ,  郑亮 ,  孙清清 ,  张卫

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/335 ,  H01L29/417

Abstract: 本发明属于半导体器件技术领域，具体为漏扩展结构的射频GaN/AlGaN器件及其制备方法。本发明的漏扩展结构的射频GaN/AlGaN器件包括：衬底、GaN/AlGaN叠层结构、源极、栅极和漏扩展结构；其中，漏扩展结构的一部分形成于GaN层上，并与所述GaN/AlGaN叠层的侧面相接触，另一部分与AlGaN层上表面间形成有绝缘介质层。本发明采用低阻的硅化物薄膜作为漏极引线，不仅缩小了有源区，而且重构了电流通道，避免了二维电子气需要翻越高势垒的AlGaN/GaN异质结才能被漏电极抽取走的状况，从而使射频GaN/AlGaN器件获得更好的直流参数、高频线性参数等。