公开(公告)号：CN113922802B

公开(公告)日：2024-12-10

申请号：CN202111346193.2

申请日：2021-11-15

Applicant: 哈尔滨理工大学

Inventor： 张冬 ,  刘家安 ,  齐继

IPC: H03K17/72 ,  H03K17/081

Abstract: 本发明涉及一种15kV可控硅放电开关系统，属于可控硅放电开关领域，由四个光控可控硅T2563N80TOH、动态均压RCD回路、静态均压回路和瞬态电压保护回路组成了额定电压为15kV，最高工作电压达到30kV的，最大放电电流达到93kA的可控硅放电开关，将单个可控硅进行串联提升了可控硅控制的电压等级，并对串联可控硅结构面临动态均压、静态均压和同步等问题设计了合适的外部保护电路结构进行解决。为可控硅开关系统提供了一种提升电压等级并且改善动静态均压的方法。

公开(公告)号：CN113922802A

公开(公告)日：2022-01-11

申请号：CN202111346193.2

申请日：2021-11-15

Applicant: 哈尔滨理工大学

Inventor： 张冬 ,  刘家安 ,  齐继

IPC: H03K17/72 ,  H03K17/081

Abstract: 本发明涉及一种15kV可控硅放电开关系统，属于可控硅放电开关领域，由四个光控可控硅T2563N80TOH、动态均压RCD回路、静态均压回路和瞬态电压保护回路组成了额定电压为15kV，最高工作电压达到30kV的，最大放电电流达到93kA的可控硅放电开关，将单个可控硅进行串联提升了可控硅控制的电压等级，并对串联可控硅结构面临动态均压、静态均压和同步等问题设计了合适的外部保护电路结构进行解决。为可控硅开关系统提供了一种提升电压等级并且改善动静态均压的方法。