公开(公告)号：CN111548515B

公开(公告)日：2023-05-09

申请号：CN202010294753.3

申请日：2020-04-15

Applicant: 哈尔滨理工大学

Inventor： 翁凌 ,  王贵生 ,  张笑瑞 ,  刘立柱

IPC: C08J7/00 ,  C08J5/18 ,  C08L27/16 ,  C08K3/14 ,  C08K3/38 ,  C08K3/34 ,  B29C55/02 ,  B29C71/02

Abstract: 本发明公开了一种非氧化物陶瓷/聚偏氟乙烯复合薄膜的后处理工艺，属于聚偏氟乙烯复合薄膜技术领域。本发明要解决现有聚偏氟乙烯复合薄膜材料的介电常数低和介电损耗较高的问题。本发明所述的后处理工艺是将非氧化物陶瓷/聚偏氟乙烯复合薄膜在60℃‑140℃下退火2h‑8h后，以5mm/min‑15mm/min的拉伸速率拉伸直至拉伸倍率为50％‑100％。本发明的后处理工艺可有效提高聚偏氟乙烯复合薄膜的介电常数，同时降低其介电损耗。

公开(公告)号：CN111548515A

公开(公告)日：2020-08-18

申请号：CN202010294753.3

申请日：2020-04-15

Applicant: 哈尔滨理工大学

Inventor： 翁凌 ,  王贵生 ,  张笑瑞 ,  刘立柱

IPC: C08J7/00 ,  C08J5/18 ,  C08L27/16 ,  C08K3/14 ,  C08K3/38 ,  C08K3/34 ,  B29C55/02 ,  B29C71/02

Abstract: 本发明公开了一种非氧化物陶瓷/聚偏氟乙烯复合薄膜的后处理工艺，属于聚偏氟乙烯复合薄膜技术领域。本发明要解决现有聚偏氟乙烯复合薄膜材料的介电常数低和介电损耗较高的问题。本发明所述的后处理工艺是将非氧化物陶瓷/聚偏氟乙烯复合薄膜在60℃-140℃下退火2h-8h后，以5mm/min-15mm/min的拉伸速率拉伸直至拉伸倍率为50％-100％。本发明的后处理工艺可有效提高聚偏氟乙烯复合薄膜的介电常数，同时降低其介电损耗。