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公开(公告)号：CN101197425B
公开(公告)日：2010-11-10
申请号：CN200610151099.0
申请日：2006-12-05
Applicant: 哈尔滨理工大学
CPC classification number: Y02E10/549
Abstract: 有机光电三极管、制作方法及用途，近年来，有机薄膜三极管、有机发光二极管，以及有机二极管的研究，已从有机小分子半导体材料扩展到导电共扼高聚物，并把焦点集中在器件的物理机构和改善器件的性能以达到实用化水平上。本发明的组成包括：铝蒸发膜构成的栅极，所述的铝蒸发膜栅极两侧具有有机半导体的酞菁铜薄膜，两者之间形成肖特基壁垒，源极和漏极采用与酞菁铜蒸发膜成欧姆性接触的金蒸发膜，所述的酞菁铜采用镧系金属配合物的双核酞菁、稀土金属配位的三明治结构酞菁、16氟取代的酞菁锌，位于所述的铝蒸发膜栅极上侧的酞菁铜薄膜膜厚度为60-80nm、位于所述的铝蒸发膜栅极下侧的酞菁铜薄膜膜厚度为120-140nm，铝蒸发膜栅极厚度为17-22nm。本产品用于光电传感器件。
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公开(公告)号：CN101196489B
公开(公告)日：2012-06-06
申请号：CN200610151098.6
申请日：2006-12-05
Applicant: 哈尔滨理工大学
IPC: G01N27/414 , H01L51/00
Abstract: 有机薄膜三极管传感器、制作方法及用途，近年来，气体和气味分析的有机气体传感器和感应器阵列的使用已经吸引的很多研究者的关注。本发明是通过测量有机三极管传感器工作电流的变化，实现特定气体微量的测定的有机三极管传感器。有机薄膜三极管传感器，其组成包括：铝蒸发膜构成的栅极，所述的铝蒸发膜栅极两侧具有有机半导体的酞菁铜薄膜，两者之间形成肖特基壁垒，源极和漏极采用与酞菁铜蒸发膜成欧姆性接触的金蒸发膜，所述的漏极为多孔的金电极，所述的漏极和酞菁铜之间具有有机气体敏感膜。
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公开(公告)号：CN1897321B
公开(公告)日：2011-01-12
申请号：CN200610067520.X
申请日：2006-02-27
Applicant: 哈尔滨理工大学
IPC: H01L51/05
Abstract: 亚微米厚度有机半导体薄膜三极管，涉及一种有机半导体材料为主体制作的亚微米厚度有机半导体薄膜三极管。目前欧美等发达国家研究的有机薄膜三极管主要是采用OTFT结构。本发明的亚微米厚度有机半导体薄膜三极管，其组成包括：玻璃基板(1)，玻璃基板上具有金(2)、酞菁铜(3)、铝(4)、酞菁铜(5)、金(6)的层状结构复合层，铝膜的厚度为20±10nm，酞菁铜的厚度上层为70±5nm，下层为130±5nm。本产品用作有机的甚至是软体衬底的显示器，随着高性能新型有机半导体材料的开发，本产品可用作高速、高电流密度特性的三极管，可以用于有机显示器、液晶面板的驱动单元，电子标签，有机集成电路芯片等更广泛的领域。
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公开(公告)号：CN101196489A
公开(公告)日：2008-06-11
申请号：CN200610151098.6
申请日：2006-12-05
Applicant: 哈尔滨理工大学
IPC: G01N27/414 , H01L51/00
Abstract: 有机薄膜三极管传感器、制作方法及用途，近年来，气体和气味分析的有机气体传感器和感应器阵列的使用已经吸引了很多研究者的关注。本发明是通过测量有机三极管传感器工作电流的变化，实现特定气体微量的测定的有机三极管传感器。有机薄膜三极管传感器，其组成包括：铝蒸发膜构成的栅极，所述的铝蒸发膜栅极两侧具有有机半导体的酞菁铜薄膜，两者之间形成肖特基壁垒，源极和漏极采用与酞菁铜蒸发膜成欧姆性接触的金蒸发膜，所述的漏极为多孔的金电极，所述的漏极和酞菁铜之间具有有机气体敏感膜。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101197425A
公开(公告)日：2008-06-11
申请号：CN200610151099.0
申请日：2006-12-05
Applicant: 哈尔滨理工大学
CPC classification number: Y02E10/549
Abstract: 有机光电三极管、制作方法及用途，近年来，有机薄膜三极管、有机发光二极管，以及有机二极管的研究，已从有机小分子半导体材料扩展到导电共扼高聚物，并把焦点集中在器件的物理机构和改善器件的性能以达到实用化水平上。本发明的目的是提供一种具有极高的电流增益，使光电流放大β倍，与有机光电二极管相比，具有极高光电信号转换能力，输出的光电流信号容易处理的光电三极管，其组成包括：铝蒸发膜构成的栅极，所述的铝蒸发膜栅极两侧具有有机半导体的酞菁铜薄膜，两者之间形成肖特基壁垒，源极和漏极采用与酞菁铜蒸发膜成欧姆性接触的金蒸发膜。本产品用于光电传感器件。
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公开(公告)号：CN201107811Y
公开(公告)日：2008-08-27
申请号：CN200620022192.7
申请日：2006-12-12
Applicant: 哈尔滨理工大学
IPC: H01L51/42
CPC classification number: Y02E10/549
Abstract: 有机光电三极管，近年来，有机薄膜三极管、有机发光二极管，以及有机二极管的研究，已从有机小分子半导体材料扩展到导电共扼高聚物，并把焦点集中在器件的物理机构和改善器件的性能以达到实用化水平上。本实用新型的目的是提供一种具有极高的电流增益，使光电流放大β倍，与有机光电二极管相比，具有极高光电信号转换能力，输出的光电流信号容易处理的光电三极管，其组成包括：铝蒸发膜构成的栅极1，所述的铝蒸发膜栅极两侧具有有机半导体的酞菁铜薄膜，两者之间形成肖特基壁垒，源极3和漏极4采用与酞菁铜蒸发膜成欧姆性接触的金蒸发膜。本产品用于光电传感器件。
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公开(公告)号：CN200989893Y
公开(公告)日：2007-12-12
申请号：CN200620022191.2
申请日：2006-12-12
Applicant: 哈尔滨理工大学
IPC: G01N27/414 , H01L51/00
Abstract: 有机薄膜三极管传感器，近年来，气体和气味分析的有机气体传感器和感应器阵列的使用已经吸引的很多研究者的关注。本实用新型是通过测量有机三极管传感器工作电流的变化，实现特定气体微量的测定的有机三极管传感器。有机薄膜三极管传感器，其组成包括：有机薄膜三极管传感器，其组成包括：铝蒸发膜构成的栅极(基极)1，所述的铝蒸发膜栅极两侧具有有机半导体的酞菁铜薄膜2，两者之间形成肖特基壁垒，源极(集电极)3和漏极(发射极)4采用与酞菁铜蒸发膜成欧姆性接触的金蒸发膜，所述的漏极为多孔的金电极，所述的漏极和酞菁铜之间具有有机气体敏感膜。整体附着在玻璃5基板上。本产品用作接收光线的传感器。
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公开(公告)号：CN201100964Y
公开(公告)日：2008-08-13
申请号：CN200620022193.1
申请日：2006-12-12
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: 半导体塑料发光管，涉及一种采用层叠半导体塑料材质的发光管。现有的光电子器件及平板显示器领域中，电致发光器件大多由无机半导体材料制成，无机半导体材料的发光效率高，但做成大面积的显示器，工艺上还有困难。半导体塑料发光管，其组成包括：发光管，所述的发光管的作用层中包括塑料半导体酞菁铜和喹啉铝蒸发膜作用层，结构为金1、酞菁铜2、铝3、酞菁铜2、喹啉铝4、ITO透明电极5、玻璃基板6。本实用新型的产品适用于柔性全塑料显示器。
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公开(公告)号：CN201100919Y
公开(公告)日：2008-08-13
申请号：CN200620022194.6
申请日：2006-12-12
Applicant: 哈尔滨理工大学
IPC: H01L51/05
Abstract: 亚微米厚度有机半导体薄膜三极管，涉及一种有机半导体材料为主体制作的亚微米厚度有机半导体薄膜发光三极管。目前欧美等发达国家研究的有机薄膜三极管主要是采用OTFT结构。本实用新型组成包括：玻璃基板1，玻璃基板上具有金2、酞菁铜3、铝4、酞菁铜5、金6的层状结构复合层。铝膜的厚度为20±10nm，酞菁铜的厚度上层为70±5nm，下层为130±5nm。本产品用作有机的甚至是软体衬底的显示器，随着高性能新型有机半导体材料的开发，本产品可用作高速、高电流密度特性的三极管，可以用于有机显示器、液晶面板的驱动单元，电子标签，有机集成电路芯片等更广泛的领域。
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