公开(公告)号：CN117913284A

公开(公告)日：2024-04-19

申请号：CN202410082932.9

申请日：2024-01-19

Applicant: 哈尔滨理工大学

Inventor： 陈桢 ,  夏波 ,  王茜 ,  陈明华

IPC: H01M4/66 ,  C25D9/04 ,  H01M4/80 ,  H01M10/052

Abstract: 一种锡修饰氧化亚铜纳米线三维铜基集流体的制备方法和应用，它涉及一种铜基集流体的制备方法和应用。本发明的目的是要解决现有技术在锂沉积过程中，由于锂离子在电极表面的分布不均匀，在后续的锂沉积中，优先沉积在锂核上，从而形成不可控的锂枝晶的问题。本发明制备的锡修饰氧化亚铜纳米线三维铜基集流体是先通过电沉积法在泡沫铜表面生长氢氧化铜纳米线作为前驱体，空气热处理氧化为CuO@Cu，将所获得的CuO@Cu浸泡在五水四氯化锡的乙醇溶液中进行原位置换反应，再通过等离子体还原制得三维Sn@Cu2O@Cu阳极材料。一种锡修饰氧化亚铜纳米线三维铜基集流体作为锂金属电池阳极使用。

公开(公告)号：CN117913284B

公开(公告)日：2024-10-08

申请号：CN202410082932.9

申请日：2024-01-19

Applicant: 哈尔滨理工大学

Inventor： 陈桢 ,  夏波 ,  王茜 ,  陈明华

IPC: H01M4/66 ,  C25D9/04 ,  H01M4/80 ,  H01M10/052

Abstract: 一种锡修饰氧化亚铜纳米线三维铜基集流体的制备方法和应用，它涉及一种铜基集流体的制备方法和应用。本发明的目的是要解决现有技术在锂沉积过程中，由于锂离子在电极表面的分布不均匀，在后续的锂沉积中，优先沉积在锂核上，从而形成不可控的锂枝晶的问题。本发明制备的锡修饰氧化亚铜纳米线三维铜基集流体是先通过电沉积法在泡沫铜表面生长氢氧化铜纳米线作为前驱体，空气热处理氧化为CuO@Cu，将所获得的CuO@Cu浸泡在五水四氯化锡的乙醇溶液中进行原位置换反应，再通过等离子体还原制得三维Sn@Cu2O@Cu阳极材料。一种锡修饰氧化亚铜纳米线三维铜基集流体作为锂金属电池阳极使用。