公开(公告)号：CN101760622A

公开(公告)日：2010-06-30

申请号：CN201010032412.5

申请日：2010-01-06

Applicant: 哈尔滨工程大学

Inventor： 李新林 ,  冯丹 ,  王香 ,  李莉 ,  张春敏

IPC: C22B3/40 ,  C01B33/06

CPC classification number: Y02P10/234

Abstract: 本发明提供的是从高硅镁合金中萃取金属间化合物Mg2Si晶体的方法。将高硅镁合金铸锭机加工成碎屑后，将其分次放入盛有含铵根离子(NH4+)和氯离子(Cl-)饱和盐水的敞口透明玻璃器皿中，反应萃取后反复过滤—清洗、烘干，再放入无水乙醇中超声波清洗，随后过滤、干燥即可得到金属间化合物Mg2Si晶体。本发明可获得具有树枝晶、完美或带有缺陷的八面体等不同形貌特征的Mg2Si晶体，从而有利于研究并揭示高硅镁合金中金属间化合物Mg2Si晶体的生长机制。同时，为制备金属间化合物Mg2Si晶体粉体提供了一条新途径。

公开(公告)号：CN101760622B

公开(公告)日：2011-04-20

申请号：CN201010032412.5

申请日：2010-01-06

Applicant: 哈尔滨工程大学

Inventor： 李新林 ,  冯丹 ,  王香 ,  李莉 ,  张春敏

IPC: C22B3/40 ,  C01B33/06

CPC classification number: Y02P10/234

Abstract: 本发明提供的是从高硅镁合金中萃取金属间化合物Mg2Si晶体的方法。将高硅镁合金铸锭机加工成碎屑后，将其分次放入盛有含铵根离子(NH4+)和氯离子(Cl-)饱和盐水的敞口透明玻璃器皿中，反应萃取后反复过滤—清洗、烘干，再放入无水乙醇中超声波清洗，随后过滤、干燥即可得到金属间化合物Mg2Si晶体。本发明可获得具有树枝晶、完美或带有缺陷的八面体等不同形貌特征的Mg2Si晶体，从而有利于研究并揭示高硅镁合金中金属间化合物Mg2Si晶体的生长机制。同时，为制备金属间化合物Mg2Si晶体粉体提供了一条新途径。