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公开(公告)号：CN116542934B
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202310514328.4
申请日：2023-05-09
Applicant: 哈尔滨工业大学重庆研究院 , 哈尔滨工业大学
IPC: G06T7/00 , G06T7/73 , G06T7/62 , G06V10/28 , G06V10/764
Abstract: 本申请提供一种薄膜电容工艺检测方法及电子设备。方法包括：获取采集基膜得到的待测图像及预先创建的与待测图像对应的模板图像，其中，基膜包括用于制作薄膜电容的呈阵列排布的多个内电极；基于模板图像中的预设图区，对待测图像进行分区定位，得到相匹配的多个图区组，其中，多个图区组中的每个图区组包括模板图像中的任一预设图区及待测图像中与任一预设图区对应的待测图区；针对每个图区组，对待测图区和任一预设图区相同位置的像素点的灰度值相减，得到待测图区的残差图区；根据预设分类策略，确定残差图区的检测结果，检测结果包括表征残差图区是否存在缺陷的结果。如此，有利于提高薄膜电容的内电极缺陷检测准确性。
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公开(公告)号：CN116542934A
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN202310514328.4
申请日：2023-05-09
Applicant: 哈尔滨工业大学重庆研究院
IPC: G06T7/00 , G06T7/73 , G06T7/62 , G06V10/28 , G06V10/764
Abstract: 本申请提供一种薄膜电容工艺检测方法及电子设备。方法包括：获取采集基膜得到的待测图像及预先创建的与待测图像对应的模板图像，其中，基膜包括用于制作薄膜电容的呈阵列排布的多个内电极；基于模板图像中的预设图区，对待测图像进行分区定位，得到相匹配的多个图区组，其中，多个图区组中的每个图区组包括模板图像中的任一预设图区及待测图像中与任一预设图区对应的待测图区；针对每个图区组，对待测图区和任一预设图区相同位置的像素点的灰度值相减，得到待测图区的残差图区；根据预设分类策略，确定残差图区的检测结果，检测结果包括表征残差图区是否存在缺陷的结果。如此，有利于提高薄膜电容的内电极缺陷检测准确性。
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公开(公告)号：CN117291940A
公开(公告)日：2023-12-26
申请号：CN202311047166.4
申请日：2023-08-18
Applicant: 哈尔滨工业大学重庆研究院 , 哈尔滨工业大学
Abstract: 本申请提供一种薄膜电容电极图像分割方法及电子设备。方法包括：按照预设压缩比例对拍摄基膜得到的原始图像进行压缩处理，得到经过压缩的第一图像；对第一图像进行开运算处理，得到第二图像；对第二图像进行二值化处理，得到第三图像；通过预设的双阈值处理策略，对第三图像进行边缘分割，得到第三图像中的电极片的边缘分割图；从具有边缘分割图的第三图像中确定每个电极片的角点坐标；根据预设压缩比例及每个电极片的角点坐标，确定每个电极片在原始图像中对应的角点坐标；基于原始图像中对应的角点坐标及电极片的预设尺寸，从原始图像中分割得到每个电极片的图区。如此，利于提升从原始图像中分割出独立的电极片图区的准确率及效率。
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公开(公告)号：CN117274161A
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202311047454.X
申请日：2023-08-18
Applicant: 哈尔滨工业大学重庆研究院 , 哈尔滨工业大学
Abstract: 本申请提供一种薄膜电容图像预检方法及电子设备。方法包括：对原始图像进行压缩，得到经过压缩的第一图像；通过预设的边缘提取算法，从第一图像中提取轮廓信息，并对该轮廓信息进行拟合，得到具有连通轮廓的第二图像；从第二图像中选择包围面积最大的目标轮廓；从目标轮廓中确定角点的第一位置坐标；根据预设插值算法及预设压缩比例，将第二图像中的角点的第一位置坐标，转换为原始图像上对应角点的第二位置坐标；从原始图像上的裁剪得到包含矩形定位标的图区，并从该图区中确定矩形定位标的轮廓；根据矩形定位标的轮廓，确定原始图像中基膜的倾斜角度。如此，可以实现图像中基膜倾斜角度的自动预检，提高图像预检的效率与检测的可靠性。
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