公开(公告)号：CN110240127A

公开(公告)日：2019-09-17

申请号：CN201910645657.6

申请日：2019-07-17

Applicant: 哈尔滨工业大学(深圳)

Inventor： 汪桂根 ,  韩茂 ,  杨硕 ,  党乐阳

IPC: C01B19/04

Abstract: 本发明提供了一种二维GaTe材料的制备方法，包括依次执行如下步骤：步骤1：称取一定量的碲粉和镓液，将其分别放置于两个坩埚中，放置碲粉为碲源的坩埚为第一坩埚、放置镓液为镓源的坩埚为第二坩埚；步骤2：分别将步骤1中的所述第一坩埚、所述第二坩埚放置在CVD管式炉的上游和中心，所述第一坩埚、所述第二坩埚之间需间隔一定距离；步骤3：将衬底倒置在第二坩埚的正上方；步骤4：通入氩气和氢气的混合气体，并进行升温，当升温到设定温度时保温一定时间，然后自然冷却到室温，即能在所述衬底上沉积二维GaTe材料。本发明的有益效果是：1.本发明的制备方法采用化学气相沉积法，相较于常规的机械剥离法制备过程，更容易控制。

公开(公告)号：CN110240127B

公开(公告)日：2021-03-23

申请号：CN201910645657.6

申请日：2019-07-17

Applicant: 哈尔滨工业大学(深圳)

Inventor： 汪桂根 ,  韩茂 ,  杨硕 ,  党乐阳

IPC: C01B19/04

Abstract: 本发明提供了一种二维GaTe材料的制备方法，包括依次执行如下步骤：步骤1：称取一定量的碲粉和镓液，将其分别放置于两个坩埚中，放置碲粉为碲源的坩埚为第一坩埚、放置镓液为镓源的坩埚为第二坩埚；步骤2：分别将步骤1中的所述第一坩埚、所述第二坩埚放置在CVD管式炉的上游和中心，所述第一坩埚、所述第二坩埚之间需间隔一定距离；步骤3：将衬底倒置在第二坩埚的正上方；步骤4：通入氩气和氢气的混合气体，并进行升温，当升温到设定温度时保温一定时间，然后自然冷却到室温，即能在所述衬底上沉积二维GaTe材料。本发明的有益效果是：1.本发明的制备方法采用化学气相沉积法，相较于常规的机械剥离法制备过程，更容易控制。