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公开(公告)号：CN117182276A
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202311222723.1
申请日：2023-09-21
Applicant: 哈尔滨工业大学(威海)
IPC: B23K15/00
Abstract: 本发明涉及一种超声辅助低应力电子束焊接方法与装置，解决现有超声波辅助真空电子束焊接法易产生气孔缺陷以及造成焊缝晶粒粗大的现象，无法实现复杂焊接路径下焊缝声压场的技术问题；其包括两组定位装置、两个超声波换能器、两个震动头、两套超声波发生器和电子束枪焊接夹具，震动头与超声波换能器的末端连接，超声波换能器与连接架固定连接；超声波发生器与超声波换能器电连接；定位装置包括支撑架、连接架、导向光轴、弹簧和圆柱，导向光轴与支撑架固定连接，导向光轴穿过连接架并与连接架滑动连接，圆柱固定连接在支撑架上，圆柱穿过支撑架的通孔，弹簧套在圆柱上，弹簧的一端压在支撑架的上部，弹簧的另一端压在连接件上。
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公开(公告)号：CN114360986A
公开(公告)日：2022-04-15
申请号：CN202111634735.6
申请日：2021-12-29
Applicant: 哈尔滨工业大学(威海)
Abstract: 本发明涉及一种电子束粉末床增材制造装备电子枪，其解决了解决现有皮尔斯电子枪的消像散装置以静态矫正工作方式矫正束畸变，满足不了电子束粉末床增材制造装备要求快速同步矫正要求，消像散装置为独立装置增加了电子束的飞行路程，不利于电子束的聚焦的技术问题，其包括依次呈同轴对中自上而下布设的阴极、聚束极、阳极、合轴装置、聚焦装置和扫描消像散集成装置，扫描消像散集成装置包括铁磁框架、扫描绕组和消像散绕组，铁磁框架呈轴对称的圆柱状环形结构，铁磁框架的内壁设有轴向延伸并按圆周等分的4m个线槽，扫描绕组和消像散绕组共同占据全部4m个线槽。本发明广泛用于电子束粉末床增材制造。
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公开(公告)号：CN114360986B
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202111634735.6
申请日：2021-12-29
Applicant: 哈尔滨工业大学(威海)
Abstract: 本发明涉及一种电子束粉末床增材制造装备电子枪，其解决了解决现有皮尔斯电子枪的消像散装置以静态矫正工作方式矫正束畸变，满足不了电子束粉末床增材制造装备要求快速同步矫正要求，消像散装置为独立装置增加了电子束的飞行路程，不利于电子束的聚焦的技术问题，其包括依次呈同轴对中自上而下布设的阴极、聚束极、阳极、合轴装置、聚焦装置和扫描消像散集成装置，扫描消像散集成装置包括铁磁框架、扫描绕组和消像散绕组，铁磁框架呈轴对称的圆柱状环形结构，铁磁框架的内壁设有轴向延伸并按圆周等分的4m个线槽，扫描绕组和消像散绕组共同占据全部4m个线槽。本发明广泛用于电子束粉末床增材制造。
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公开(公告)号：CN114318056A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202111527358.6
申请日：2021-12-14
Applicant: 哈尔滨工业大学(威海) , 深圳职业技术学院
Abstract: 本发明涉及一种双丝粉芯丝材增材制造的Ti2AlNb合金及其制造方法，使用TiAlNb粉芯丝材配合纯Ti丝，进行双丝Ti2AlNb合金的电子束增材沉积。本发明提供的方法通过调节双丝的角度、丝极间距等措施使得粉芯丝材和纯Ti丝在相同的送丝速度下连续均匀地过度到熔池中。采用AlNb这种1605℃熔点的化合物和1668℃的Ti熔点接近，这样获得的增材件沉积元素分布均匀不存在偏析，而且沉积件成分细微可调，组织均匀，能够实现电子束增材制造Ti2AlNb合金。
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公开(公告)号：CN109807415A
公开(公告)日：2019-05-28
申请号：CN201910170637.8
申请日：2019-03-07
Applicant: 哈尔滨工业大学(威海)
Abstract: 本发明公开了一种空心电子束同轴送丝的加工装置以及加工方法，其包括：其包括：电子束发生器，其包括发射阴极，发射阴极呈环形设置；电子束聚焦单元，用于改变电子束轨迹，将电子束聚焦于中心轴上；送丝机构，包括固定连接的送丝管，所述送丝管设置于所述电子束的中心轴处。本发明由于采用上述结构，具有同轴度高，丝材利用率高，加工精度高等优点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105414732A
公开(公告)日：2016-03-23
申请号：CN201510978156.1
申请日：2015-12-23
Applicant: 哈尔滨工业大学(威海)
IPC: B23K15/00
CPC classification number: B23K15/0053
Abstract: 本发明公开了一种多阴极电子枪装置，包括枪体和阴极变压器，其特征在于枪体内壁上端设有阴极座，下端设有阳极座，所述阴极座上设有中心导体柱、前导体柱和后导体柱，所述前导体柱和后导体柱中间设有中心导体柱，所述中心导体柱和前导体柱下端设有前阴极，所述中心导体柱和后导体柱下端设有后阴极，所述阳极座上设有阳极，所述阳极座和阳极上分别对应设有前阳极出束孔和后阳极出束孔，所述前阴极与前阳极出束孔相对应，所述后阴极与后阳极出束孔相对应，所述中心导体柱、前导体柱和后导体柱分别与阴极变压器相连接，具有结构新颖、使用方便、焊接质量高、工作效率高、加热速度极快、热影响区极小、变形微小、焊接深度比大、使用寿命长等优点。
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公开(公告)号：CN115369276A
公开(公告)日：2022-11-22
申请号：CN202210975972.7
申请日：2022-08-15
Applicant: 哈尔滨工业大学(威海) , 深圳职业技术学院
IPC: C22C1/05 , C22C21/10 , C22C32/00 , C22C1/10 , B22F10/28 , B22F10/64 , B33Y10/00 , B33Y40/10 , B33Y40/20 , B33Y70/10
Abstract: 本发明属于金属基复合材料技术领域，公开一种SiC和TiB2双相增强铝基复合材料及其制备方法；所述制备方法为：将SiC、TiB2陶瓷粉末以任意比例混匀后，再与铝基合金粉末混匀，并将其采用激光粉末床熔融增材制造技术打印于铝基合金基板上，在基板上形成复合材料A；将复合材料A与基板分离后，依次进行固溶热处理和时效热处理，即获得SiC和TiB2双相增强铝基复合材料。本发明通过激光粉末床熔融，在Al‑Zn‑Mg‑Cu合金中引入SiC及TiB2陶瓷增强相，在解决高强Al‑Zn‑Mg‑Cu合金热裂纹的同时制备出高强的SiC和TiB2双相增强的Al‑Zn‑Mg‑Cu基复合材料。
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公开(公告)号：CN114318056B
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN202111527358.6
申请日：2021-12-14
Applicant: 哈尔滨工业大学(威海) , 深圳职业技术学院
Abstract: 本发明涉及一种双丝粉芯丝材增材制造的Ti2AlNb合金及其制造方法，使用TiAlNb粉芯丝材配合纯Ti丝，进行双丝Ti2AlNb合金的电子束增材沉积。本发明提供的方法通过调节双丝的角度、丝极间距等措施使得粉芯丝材和纯Ti丝在相同的送丝速度下连续均匀地过度到熔池中。采用AlNb这种1605℃熔点的化合物和1668℃的Ti熔点接近，这样获得的增材件沉积元素分布均匀不存在偏析，而且沉积件成分细微可调，组织均匀，能够实现电子束增材制造Ti2AlNb合金。
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公开(公告)号：CN109807415B
公开(公告)日：2022-01-04
申请号：CN201910170637.8
申请日：2019-03-07
Applicant: 哈尔滨工业大学(威海)
Abstract: 本发明公开了一种空心电子束同轴送丝的加工装置以及加工方法，其包括：其包括：电子束发生器，其包括发射阴极，发射阴极呈环形设置；电子束聚焦单元，用于改变电子束轨迹，将电子束聚焦于中心轴上；送丝机构，包括固定连接的送丝管，所述送丝管设置于所述电子束的中心轴处。本发明由于采用上述结构，具有同轴度高，丝材利用率高，加工精度高等优点。
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公开(公告)号：CN105002553A
公开(公告)日：2015-10-28
申请号：CN201510453648.9
申请日：2015-07-29
Applicant: 哈尔滨工业大学(威海)
Abstract: 本发明公开了一种真空环境中使用的环形电子束无坩埚区域熔炼装置，设有真空室，其特征在于所述真空室外设有电控系统，所述真空室内设有环形电子束发生器、底座、左立柱、右立柱、横梁、试样夹持机构和驱动装置，所述试样夹持机构是由下夹头和上夹头组成，本发明由于采用上述结构，具有结构新颖、制造成本低、生产效率高、性能稳定、熔炼温度高、温度梯度高、凝固速率精确可控等优点。
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