公开(公告)号：CN103469307B

公开(公告)日：2016-04-27

申请号：CN201310459769.5

申请日：2013-09-29

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 郑立梅 ,  王军军 ,  霍晓青 ,  王锐 ,  桑士晶 ,  杨彬 ,  曹文武

IPC: C30B29/30 ,  C30B15/00 ,  C30B33/02

Abstract: 四方相锂锑钽共掺杂铌酸钾钠基压电晶体，它涉及一种铌酸钾钠基压电晶体及其制备方法。本发明要解决现有技术制备过程中铌酸钾钠基压电晶体生长困难、尺寸小的问题。四方相锂锑钽共掺杂铌酸钾钠基压电晶体的化学式为[(K1-xNax)1-yLiy](Nb1-z-tTazSbt)O3，其中0.3

公开(公告)号：CN103911663B

公开(公告)日：2016-04-20

申请号：CN201410154971.1

申请日：2014-04-17

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 郑立梅 ,  霍晓青 ,  张锐 ,  王军军 ,  桑士晶 ,  王锐 ,  杨彬 ,  曹文武

IPC: C30B29/30 ,  C30B15/00

Abstract: 一种高压电性能的锂锰掺杂钙钛矿结构铌钽酸钾钠无铅压电单晶的制备方法，它涉及一种钙钛矿结构铌钽酸钾钠无铅压电单晶及其制备方法。本发明的目的是要解决现有发明制备的铌酸钾钠晶体及锂、钽或锰掺杂铌酸钾钠晶体存在漏电，组份不均匀，机电耦合系数和压电系数低的问题。本发明制备的单晶化学式为[(NayK1-y)1-xLix](Nb1-zTaz)O3:Mn，其中，0.01

公开(公告)号：CN103469307A

公开(公告)日：2013-12-25

申请号：CN201310459769.5

申请日：2013-09-29

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 郑立梅 ,  王军军 ,  霍晓青 ,  王锐 ,  桑士晶 ,  杨彬 ,  曹文武

IPC: C30B29/30 ,  C30B15/00 ,  C30B33/02

Abstract: 四方相锂锑钽共掺杂铌酸钾钠基压电晶体及其制备方法，它涉及一种铌酸钾钠基压电晶体及其制备方法。本发明要解决现有技术制备过程中铌酸钾钠基压电晶体生长困难、尺寸小的问题。四方相锂锑钽共掺杂铌酸钾钠基压电晶体的化学式为[(K1-xNax)1-yLiy](Nb1-z-tTazSbt)O3，其中0.3

公开(公告)号：CN103911663A

公开(公告)日：2014-07-09

申请号：CN201410154971.1

申请日：2014-04-17

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 郑立梅 ,  霍晓青 ,  张锐 ,  王军军 ,  桑士晶 ,  王锐 ,  杨彬 ,  曹文武

IPC: C30B29/30 ,  C30B15/00

Abstract: 一种高压电性能的锂锰掺杂钙钛矿结构铌钽酸钾钠无铅压电单晶及其制备方法，它涉及一种钙钛矿结构铌钽酸钾钠无铅压电单晶及其制备方法。本发明的目的是要解决现有发明制备的铌酸钾钠晶体及锂、钽或锰掺杂铌酸钾钠晶体存在漏电，组份不均匀，机电耦合系数和压电系数低的问题。本发明制备的单晶化学式为[(NayK1-y)1-xLix](Nb1-zTaz)O3:Mn，其中，0.01

公开(公告)号：CN102628186B

公开(公告)日：2014-12-31

申请号：CN201210131057.6

申请日：2012-04-28

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 郑立梅 ,  霍晓青 ,  王军军 ,  仪修杰 ,  张锐 ,  曹文武 ,  杨彬

IPC: C30B29/30 ,  C30B15/00

Abstract: 正交相锂钽掺杂铌酸钾钠基无铅压电单晶的制备方法，它涉及一种功能性单晶材料的制备方法。本发明解决了铌酸钾钠基压电单晶生长困难、尺寸小、压电性能低的技术问题。本方法如下：一、制备料浆；二、合成多晶；三、化料；四、缩颈；五、放肩；六、等径；七、降温。本发明方法工艺简单，生长周期短，成本低廉。本生长工艺生长出的铌酸钾钠基压电单晶径向大小约8mm，长约20mm，尺寸较大，质量均匀，电学性能良好。本发明的正交相锂钽掺杂铌酸钾钠基压电单晶为纯钙钛矿结构，无其它杂相。室温下锂钽掺杂铌酸钾钠基压电单晶为正交相结构。正交相锂钽掺杂铌酸钾钠基压电单晶具有非常良好的压电性能。

公开(公告)号：CN103436963A

公开(公告)日：2013-12-11

申请号：CN201310351426.7

申请日：2013-08-13

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 霍晓青 ,  郑立梅 ,  王军军 ,  张锐 ,  王锐 ,  桑士晶 ,  曹文武 ,  杨彬

IPC: C30B29/30 ,  C30B15/00 ,  C30B33/02 ,  H01L41/22

Abstract: 一种高机电耦合性能的钽掺杂铌酸钾钠无铅压电单晶的制备方法，它涉及一种铌酸钾钠基无铅压电单晶的制备方法。本发明要解决现有的铌酸钾钠基无铅压电单晶生长困难、单晶尺寸小和机电耦合系数低的问题。一种高机电耦合性能的钽掺杂铌酸钾钠无铅压电单晶的化学式为(K1-xNax)(Nb1-yTay)O3，其中0.4

公开(公告)号：CN102628186A

公开(公告)日：2012-08-08

申请号：CN201210131057.6

申请日：2012-04-28

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 郑立梅 ,  霍晓青 ,  王军军 ,  仪修杰 ,  张锐 ,  曹文武 ,  杨彬

IPC: C30B29/30 ,  C30B15/00

Abstract: 正交相锂钽掺杂铌酸钾钠基无铅压电单晶及其制备方法，它涉及一种功能性单晶材料及其制备方法。本发明解决了铌酸钾钠基压电单晶生长困难、尺寸小、压电性能低的技术问题。本方法如下：一、制备料浆；二、合成多晶；三、化料；四、缩颈；五、放肩；六、等径；七、降温。本发明方法工艺简单，生长周期短，成本低廉。本生长工艺生长出的铌酸钾钠基压电单晶径向大小约8mm，长约20mm，尺寸较大，质量均匀，电学性能良好。本发明的正交相锂钽掺杂铌酸钾钠基压电单晶为纯钙钛矿结构，无其它杂相。室温下锂钽掺杂铌酸钾钠基压电单晶为正交相结构。正交相锂钽掺杂铌酸钾钠基压电单晶具有非常良好的压电性能。