公开(公告)号：CN101597059B

公开(公告)日：2011-01-26

申请号：CN200910072598.4

申请日：2009-07-27

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 温广武 ,  黄小萧 ,  张晓东 ,  王声函 ,  马飞翔 ,  李峰 ,  朱建东

IPC: C01B31/36 ,  B82B3/00

Abstract: SiC纳米线的制备方法，它涉及一种纳米线的制备方法。本发明解决了现有的制备碳化硅纳米线的方法存在的工艺复杂、成本高、生产周期长以及制作过程中产生有害气体危害人体健康、污染环境的问题。本发明方法：一、将单晶硅片放入氢氟酸溶液中进行处理；二、将金属纳米粉催化剂进行超声分散；三、将单晶硅片放入分散的金属纳米粉催化剂中进行处理；四、将单晶硅片和石墨置于气氛烧结炉中烧结，随炉冷却至室温即得到SiC纳米线。本发明的制作方法工艺简单，成本低，生产周期短，反应温度较低，在制作过程中不产生有害气体，不会危害人体健康，污染环境，本发明方法制作得到的SiC纳米线粗细均匀，表面平滑，产品质量好。

公开(公告)号：CN101597059A

公开(公告)日：2009-12-09

申请号：CN200910072598.4

申请日：2009-07-27

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 温广武 ,  黄小萧 ,  张晓东 ,  王声函 ,  马飞翔 ,  李峰 ,  朱建东

IPC: C01B31/36 ,  B82B3/00

Abstract: SiC纳米线的制备方法，它涉及一种纳米线的制备方法。本发明解决了现有的制备碳化硅纳米线的方法存在的工艺复杂、成本高、生产周期长以及制作过程中产生有害气体危害人体健康、污染环境的问题。本发明方法：一、将单晶硅片放入氢氟酸溶液中进行处理；二、将金属纳米粉催化剂进行超声分散；三、将单晶硅片放入分散的金属纳米粉催化剂中进行处理；四、将单晶硅片和石墨置于气氛烧结炉中烧结，随炉冷却至室温即得到SiC纳米线。本发明的制作方法工艺简单，成本低，生产周期短，反应温度较低，在制作过程中不产生有害气体，不会危害人体健康，污染环境，本发明方法制作得到的SiC纳米线粗细均匀，表面平滑，产品质量好。