一种2D片层状SiOx材料性能调控方法及其应用

    公开(公告)号:CN115241428B

    公开(公告)日:2024-05-10

    申请号:CN202210814079.6

    申请日:2022-07-11

    Abstract: 本发明公开了一种2D片层状SiOx材料的性能调控方法,涉及利用羟基的吸附特性,采用佯盐处理法,利用硅氧烯中羟基对阳离子的吸附形成佯盐,然后在惰性气氛中退火,从而达到调控片层状SiOx材料性能的目的。具体操作方法为:首先在浓酸中溶解硅化钙中的钙得到层状硅氧烯材料;将制备的层状硅氧烯材料分散在电解质溶液中,然后抽滤、干燥、高温煅烧,得到性能调控的2D层状SiOx材料。本发明制备工艺简单,流程少,对设备要求不高,易于产业化大量生产,并且得到的2D层状SiOx材料不需包覆可以直接用作锂离子电池负极材料,并能表现出优异的电化学性能。

    一种2D片层状SiOx材料性能调控方法及其应用

    公开(公告)号:CN115241428A

    公开(公告)日:2022-10-25

    申请号:CN202210814079.6

    申请日:2022-07-11

    Abstract: 本发明公开了一种2D片层状SiOx材料的性能调控方法,涉及利用羟基的吸附特性,采用佯盐处理法,利用硅氧烯中羟基对阳离子的吸附形成佯盐,然后在惰性气氛中退火,从而达到调控片层状SiOx材料性能的目的。具体操作方法为:首先在浓酸中溶解硅化钙中的钙得到层状硅氧烯材料;将制备的层状硅氧烯材料分散在电解质溶液中,然后抽滤、干燥、高温煅烧,得到性能调控的2D层状SiOx材料。本发明制备工艺简单,流程少,对设备要求不高,易于产业化大量生产,并且得到的2D层状SiOx材料不需包覆可以直接用作锂离子电池负极材料,并能表现出优异的电化学性能。

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