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公开(公告)号：CN103397313A
公开(公告)日：2013-11-20
申请号：CN201310344925.3
申请日：2013-08-08
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C23C18/08
Abstract: 一种SiC/Co异质复合纳米线的制备方法，它涉及一种复合纳米线的制备方法。本发明的目的是要解决现有SiC/Co复合材料化学镀制备方法的存在步骤繁琐、可控性差和沉积粒子尺寸过大的问题。方法：一、混合；二、回流反应；三、磁分离，即得到SiC/Co异质复合纳米线。本发明优点：一、克服传统化学镀存在步骤繁琐和可控性差的问题；二、本发明SiC纳米线表面沉积的Co粒子的尺寸为5nm～10nm。本发明主要用于制备SiC/Co异质复合纳米线。
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