公开(公告)号：CN101929523A

公开(公告)日：2010-12-29

申请号：CN201010166919.X

申请日：2010-05-10

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 方勃 ,  谭立军 ,  张业伟 ,  次永伟 ,  陈阳 ,  王磊 ,  李宇航 ,  杜艳伟

IPC: F16F15/04

Abstract: 用于柔性体多轴隔振的圆盒式被动隔振器，它涉及一种应用于柔性体中的圆盒式被动隔振器。本发明为了解决现有柔性体自身运行时动态响应超标的问题。所述内法兰盘位于底盘的上端面上，且内法兰盘的下端面与底盘的上端面连接，环形板套在内法兰盘上端的外侧壁上，环形板与内法兰盘的上端外侧壁连接；上阻尼板的下端与下阻尼板的上端搭接设置，粘弹性阻尼片设置在上阻尼板与下阻尼板的搭接处之间且与二者粘接在一起；多个阻尼构件均布设置在环形板和底盘之间，上阻尼板与环形板的下端面连接，下阻尼板的下端与底盘的上端面连接。本发明提高了柔性体以及其主要部位元件的使用寿命和使用安全性，本发明所述圆盒式被动隔振器适用于任何柔性体。

公开(公告)号：CN102086529A

公开(公告)日：2011-06-08

申请号：CN201010598266.2

申请日：2010-12-21

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 李磊 ,  周忠祥 ,  杜艳伟 ,  田浩

IPC: C30B15/00 ,  C30B29/30

Abstract: 一种铒镱双掺钽铌酸钾锂单晶的提拉制备方法，它涉及一种单晶的制备方法。本发明的目的是提供一种铒镱双掺钽铌酸钾锂单晶的提拉制备方法。制备方法如下：用无水乙醇将碳酸钾、碳酸锂、氧化钽、氧化铌、氧化铒和氧化镱的混合物的粉末研磨至无水乙醇挥发完全，然后放入铂金坩埚中，将铂金坩埚放入晶体生长炉内，进行晶体生长，即得铒镱双掺钽铌酸钾锂单晶。本发明利用提拉法成功生长铒镱掺杂钽铌酸钾锂单晶，并且能够实现铒镱掺杂钽铌酸钾锂单晶的可控生长；另外该方法相对工艺比较简单，不使用专用设备，不需要特殊气氛生长，对环境无污染，本发明方法对于铒镱掺杂钽铌酸钾锂单晶的大规模制备和全固态短波长激光器的应用起到了重要的推动作用。

公开(公告)号：CN102086529B

公开(公告)日：2012-07-18

申请号：CN201010598266.2

申请日：2010-12-21

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 李磊 ,  周忠祥 ,  杜艳伟 ,  田浩

IPC: C30B15/00 ,  C30B29/30

Abstract: 一种铒镱双掺钽铌酸钾锂单晶的提拉制备方法，它涉及一种单晶的制备方法。本发明的目的是提供一种铒镱双掺钽铌酸钾锂单晶的提拉制备方法。制备方法如下：用无水乙醇将碳酸钾、碳酸锂、氧化钽、氧化铌、氧化铒和氧化镱的混合物的粉末研磨至无水乙醇挥发完全，然后放入铂金坩埚中，将铂金坩埚放入晶体生长炉内，进行晶体生长，即得铒镱双掺钽铌酸钾锂单晶。本发明利用提拉法成功生长铒镱掺杂钽铌酸钾锂单晶，并且能够实现铒镱掺杂钽铌酸钾锂单晶的可控生长；另外该方法相对工艺比较简单，不使用专用设备，不需要特殊气氛生长，对环境无污染，本发明方法对于铒镱掺杂钽铌酸钾锂单晶的大规模制备和全固态短波长激光器的应用起到了重要的推动作用。