公开(公告)号：CN115418716B

公开(公告)日：2024-01-30

申请号：CN202211145953.8

申请日：2022-09-20

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 王金忠 ,  张殷泽 ,  赵晨晨 ,  王东博

IPC: C30B25/00 ,  C30B29/46 ,  C30B29/64

Abstract: 一种二维碲化铋单晶片的CVD制备方法，所述方法采用化学气相沉积法，并利用滑轨对材料生长过程进行调控，得到了形貌可控的大尺寸二维碲化铋单晶片。该方法可以有效避免升温和降温阶段副反应的发生，大大减少副产物在衬底表面的沉积，所制备的碲化铋单晶片尺寸较大而且形貌可控，呈现规则的六边形或三角形。这种单晶材料拥有单一的晶体取向和更好的结晶质量，使其成为未来光电探测器领域最有潜力的一类材料，这对材料的光电性能的提高具有重要的意义。

公开(公告)号：CN115418716A

公开(公告)日：2022-12-02

申请号：CN202211145953.8

申请日：2022-09-20

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 王金忠 ,  张殷泽 ,  赵晨晨 ,  王东博

IPC: C30B25/00 ,  C30B29/46 ,  C30B29/64

Abstract: 一种二维碲化铋单晶片的CVD制备方法，所述方法采用化学气相沉积法，并利用滑轨对材料生长过程进行调控，得到了形貌可控的大尺寸二维碲化铋单晶片。该方法可以有效避免升温和降温阶段副反应的发生，大大减少副产物在衬底表面的沉积，所制备的碲化铋单晶片尺寸较大而且形貌可控，呈现规则的六边形或三角形。这种单晶材料拥有单一的晶体取向和更好的结晶质量，使其成为未来光电探测器领域最有潜力的一类材料，这对材料的光电性能的提高具有重要的意义。