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公开(公告)号：CN113903483B
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202111067722.5
申请日：2021-09-13
Applicant: 哈尔滨工业大学 , 哈尔滨工业大学重庆研究院
Abstract: 本发明公开了一种防护X/γ射线的多层柔性复合材料及其制备方法，属于功能材料制备技术领域。本发明解决了现有稀土金属氧化物纳米颗粒无法形成高密度材料，对于高能伽马射线屏蔽性能差的问题。本发明在稀土氧化物纳米颗粒/树脂基体形成的复合材料表面利用磁控溅射沉积一层高密度、高原子序数的金属薄膜，不仅弥补了传统稀土金属氧化物/树脂基体复合材料对高能射线屏蔽性能差的缺点，还利用了稀土金属氧化物/树脂基体吸收高密度金属与射线相互作用产生的二次辐射，可大大提高辐射屏蔽性能和辐射防护效率。
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公开(公告)号：CN115286513A
公开(公告)日：2022-11-04
申请号：CN202210961497.8
申请日：2022-08-11
Applicant: 哈尔滨工业大学 , 哈尔滨工业大学重庆研究院
IPC: C07C209/00 , C07C209/86 , C07C211/04 , C09K3/00 , H05K9/00 , C08L63/00 , C08K5/17
Abstract: 本发明公开了一种甲胺碘化铅钙钛矿粉体及其制备方法和应用，属于功能材料制备技术领域，具体涉及辐射屏蔽材料技术领域。本发明提供一种利用晶面工程调控甲胺碘化铅钙钛矿/环氧树脂复合材料辐射屏蔽性能的方法。本发明通过改变溶剂热反应的时间调节填料晶面组成，进而改善复合材料的辐射屏蔽性能，不同于以往调整填料种类和尺寸的方法，创造性地提出通过调节填料晶面组成进而改善复合材料的辐射屏蔽性能的设计思路。此外，本发明通过改变填料的晶面组成，并与环氧树脂复合构筑高能射线的屏蔽材料，且复合材料中存在大量的填料与树脂的界面，构筑了高低Z材料交替排列的结构，一定程度上抑制了高能电子与高Z材料作用所产生的韧致辐射。
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公开(公告)号：CN113903483A
公开(公告)日：2022-01-07
申请号：CN202111067722.5
申请日：2021-09-13
Applicant: 哈尔滨工业大学 , 哈尔滨工业大学重庆研究院
Abstract: 本发明公开了一种防护X/γ射线的多层柔性复合材料及其制备方法，属于功能材料制备技术领域。本发明解决了现有稀土金属氧化物纳米颗粒无法形成高密度材料，对于高能伽马射线屏蔽性能差的问题。本发明在稀土氧化物纳米颗粒/树脂基体形成的复合材料表面利用磁控溅射沉积一层高密度、高原子序数的金属薄膜，不仅弥补了传统稀土金属氧化物/树脂基体复合材料对高能射线屏蔽性能差的缺点，还利用了稀土金属氧化物/树脂基体吸收高密度金属与射线相互作用产生的二次辐射，可大大提高辐射屏蔽性能和辐射防护效率。
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公开(公告)号：CN116887602A
公开(公告)日：2023-10-13
申请号：CN202211062399.7
申请日：2022-09-01
Applicant: 哈尔滨工业大学 , 哈尔滨工业大学重庆研究院
Abstract: 本发明公开了一种基于C60‑SnO2复合电子传输层的无迟滞柔性钙钛矿太阳能电池及其制备方法，属于半导体光电子器件制备技术领域。本发明采用低温原子层沉积技术，在C60表面原位沉积SnO2薄膜，通过旋涂工艺构筑了用于柔性钙钛矿太阳能电池的C60‑SnO2复合电子传输层。本发明利用SnO2来桥连C60电子传输层和钙钛矿层，其特殊结构和表面官能团有效地增强了C60与钙钛矿间的化学相互作用，钝化了界面缺陷。同时C60的疏水性抑制了钙钛矿薄膜的异相成核过程，促使生成尺寸更大、更均匀的高质量钙钛矿晶粒，实现了钙钛矿的体相缺陷钝化，迟滞现象得到了明显的抑制，展示出良好的稳定性，实现了太阳能电池性能和稳定性的协同提升。
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公开(公告)号：CN115304982B
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN202210962526.2
申请日：2022-08-11
Applicant: 哈尔滨工业大学 , 哈尔滨工业大学重庆研究院
IPC: C09D163/00 , C09D123/06 , C09D175/04 , C09D179/04 , C09D7/61 , G21F1/10
Abstract: 本发明公开了一种用于星载集成电路封装屏蔽涂层及其制备方法，属于功能材料制备技术领域，具体涉及特种功能涂层技术领域。本发明解决了现有传统抗辐射屏蔽材料存在的成本高、密度大、机械性能差等缺点。本发明将铅卤钙钛矿粉体与树脂材料复合，结合各组分材料的优点，构筑多项性能优异的复合涂层，同时利用铅卤钙钛矿粉体多组分材料协同的方式，实现多种高能射线的屏蔽，抑制次级粒子的产生。且该复合涂层中存在大量铅卤钙钛矿与树脂的界面，构筑了高低Z材料交替排列的结构，进一步抑制了高能电子与高Z材料作用所产生的韧致辐射。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115304982A
公开(公告)日：2022-11-08
申请号：CN202210962526.2
申请日：2022-08-11
Applicant: 哈尔滨工业大学 , 哈尔滨工业大学重庆研究院
IPC: C09D163/00 , C09D123/06 , C09D175/04 , C09D179/04 , C09D7/61 , G21F1/10
Abstract: 本发明公开了一种用于星载集成电路封装屏蔽涂层及其制备方法，属于功能材料制备技术领域，具体涉及特种功能涂层技术领域。本发明解决了现有传统抗辐射屏蔽材料存在的成本高、密度大、机械性能差等缺点。本发明将铅卤钙钛矿粉体与树脂材料复合，结合各组分材料的优点，构筑多项性能优异的复合涂层，同时利用铅卤钙钛矿粉体多组分材料协同的方式，实现多种高能射线的屏蔽，抑制次级粒子的产生。且该复合涂层中存在大量铅卤钙钛矿与树脂的界面，构筑了高低Z材料交替排列的结构，进一步抑制了高能电子与高Z材料作用所产生的韧致辐射。
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公开(公告)号：CN112530618B
公开(公告)日：2021-07-16
申请号：CN202011346447.6
申请日：2020-11-26
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G21F1/12
Abstract: 一种电子元器件用抗中子辐照的防护材料及其制备方法。本发明属于辐照屏蔽材料及其制备领域。本发明的目的是为解决现有辐照屏蔽材料较厚而使航天器负载过重以及传统共混体系涂层的功能填料分散不均匀所导致抗辐照性能低下的技术问题。本发明的一种电子元器件用抗中子辐照的防护材料由树脂侨联层和功能金属层交替堆叠而成，最外层为功能金属层。制备方法：一、通过热喷涂，分段固化，制备树脂侨联层；二、采用磁控溅射技术，以稀土金属元素为靶材，在步骤一的树脂侨联层上镀覆功能金属层；三、交替重复10～30次，使防护材料最外层为功能金属层，得到辐照防护材料。本发明的防护材料在模拟剂量为100～200kGy的中子辐照下，辐射屏蔽率高达87.7％。
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公开(公告)号：CN111156140A
公开(公告)日：2020-05-15
申请号：CN201811318503.8
申请日：2018-11-07
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: F03H1/00
Abstract: 可提高推力分辨率和工质利用率的会切场等离子体推力器，属于会切场等离子体推力器设计领域。解决了现有会切场推力器在实现其无拖曳应用中推力分辨率不足、在低功率工况下电离不足、工质利用率过低的问题。本发明的会切场等离子体推力器整体为轴对称结构，包括主阳极、第一垫片、空心盖板、外壳、第一级永磁体、第二垫片、第二级永磁体、壁面阳极和陶瓷通道。本发明通过调节陶瓷通道内部的环形壁面阳极电位实时调控通道内部电子的运动行为，从而微调电离过程和输出性能参数，达到提高推力器输出推力分辨率的目的，同时可促进电子径向迁移，进而增加电子与壁面附近的原子的碰撞概率，实现电离区的径向扩展，达到提高推力器工质利用率的目的。
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公开(公告)号：CN111120232A
公开(公告)日：2020-05-08
申请号：CN201811295505.X
申请日：2018-11-01
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: F03H1/00
Abstract: 本发明提供了一种可实现微调控放电性能的会切场等离子体推力器，包括一端设置在陶瓷通道底部、一端为自由端的导磁阳极、绕线套筒、陶瓷环和励磁线圈，绕线套筒包括圆柱形套筒、限位板和连接板，限位板和连接板固定设置在圆柱形套筒的两端，限位板和连接板之间形成绕线区域，导磁阳极的自由端穿过所述绕线套筒的圆柱形套筒设置，陶瓷环设置在圆柱形套筒的内壁和导磁阳极外表面之间，励磁线圈绕在绕线套筒外表面，绕线套筒依次与推力器盖板和推力器外壳固定连接，会切场等离子体推力器至少包括两个永磁体。本发明利用线圈电流调节实现推力器磁场的可调可控，进而通过调节磁场调控推力器内部的电离加速过程，实现对放电及性能参数的微调。
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公开(公告)号：CN105921156B
公开(公告)日：2018-10-30
申请号：CN201610293103.0
申请日：2016-05-05
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: B01J27/049
Abstract: 一种钨硫基光催化材料的制备方法，本发明涉及功能材料中钨硫基光催化材料的制备方法。本发明涉及功能材料中钨硫基光催化材料的制备方法。方法：一、将原组分初混；二、利用高压反应釜，进行水热反应；三、洗涤。本发明方法的工艺简单、操作便捷，同时避免了高温热处理导致催化剂性能降低的问题。本发明用于制备钨硫基光催化材料。
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