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公开(公告)号:CN112483341A
公开(公告)日:2021-03-12
申请号:CN202011345120.7
申请日:2020-11-25
Applicant: 哈尔滨工业大学 , 上海易推动力科技有限公司
IPC: F03H1/00
Abstract: 霍尔推力器导热支架及含有该支架的霍尔推力器,涉及霍尔推力器的散热结构。本发明是为了解决现有高比冲高功率霍尔推力器热稳定性差的问题。本发明所述的霍尔推力器导热支架,包括长度相同且同轴内外嵌套设置的两个圆筒,两个圆筒的同一端通过底板相连,底板上设有多个通孔,两个圆筒的筒壁上均开有多条一端开口且另一端封闭的缝隙,多条缝隙沿所在圆筒周向均匀排布、且缝隙走向与所在圆筒轴向相同,缝隙的开口端与所在圆筒的开口端贯通。本发明将大部分壁面沉积热流传导至霍尔推力器散热能力较强的外部构件上,减小霍尔推力器内部磁路热量沉积,并增强其整体散热能力,最终提高霍尔推力器的整体热稳定性。
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公开(公告)号:CN108457827A
公开(公告)日:2018-08-28
申请号:CN201810217200.0
申请日:2018-03-16
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: F03H1/00
Abstract: 一种磁聚焦霍尔推力器的旋流出气结构,属于霍尔推力器领域。它解决现有高比冲氪工质霍尔推力器电离特性差的问题。包括顶部导流板、中部导流板、气体分配器底座、安装支柱、导气管、放电通道和阳极;所述的顶部导流板、中部导流板和气体分配器底座,由上自下平行设置,采用激光焊接方式固接组成一级缓冲腔和二级缓冲腔;一级缓冲腔与二级缓冲腔同轴设于放电通道内,所述的顶部导流板通过倾斜孔洞对中性气体进行导流,使其在放电通道内旋转;所述阳极设置在靠近顶部导流板的放电通道内部;导气管和安装支柱焊接于气体分配器底部的两侧。本发明有效提高工质利用率,尤其对氪气工质电离性能提升效果突出。
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公开(公告)号:CN117365889A
公开(公告)日:2024-01-09
申请号:CN202311301557.4
申请日:2023-10-09
Applicant: 深空探测实验室(天都实验室) , 上海卫星工程研究所 , 哈尔滨工业大学
IPC: F03H1/00
Abstract: 本发明记载一种组合式电推力器及工作方法,包括同轴设计的霍尔模块、磁等离子体模块;霍尔模块位于外置,磁等离子体模块位于内置;磁铁模块套设在霍尔模块、磁等离子体模块之间,被霍尔模块、磁等离子体模块公用;述霍尔模块、磁等离子体模块共用内置阴极,或内置阴极为磁等离子体模块的电子源,外置阴极为霍尔模块的电子源。本发明结合霍尔推力器和磁等离子体推力器的结构和磁场特性,将磁等离子体推力器置于霍尔推力器中心位置,充分利用超大功率霍尔推力器的中心空闲空间,共用部分结构部件和磁场,综合了超大功率霍尔推力器和磁等离子体推力器的性能优势,可实现长寿命、大推力、高比冲等性能指标。
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公开(公告)号:CN108307576A
公开(公告)日:2018-07-20
申请号:CN201810209917.0
申请日:2018-03-14
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H05H1/10
Abstract: 本发明涉及一种磁聚焦霍尔推力器长寿命设计下的磁路结构设计方法,属于霍尔推力器设计技术领域。所述方法首先将陶瓷放电通道壁面厚度、内磁屏和外磁屏的厚度均增加,提高推力器使用寿命,然后将陶瓷放电通道壁面后段调整为分段式结构或使减少陶瓷放电通道后段的陶瓷放电通道壁面的厚度,最终实现降低励磁效率损失。在设计结构中,内磁屏和外磁屏采用高导磁率、低热膨胀系数的软磁铁氧体材料替代DT4C纯铁。
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公开(公告)号:CN112483341B
公开(公告)日:2022-06-14
申请号:CN202011345120.7
申请日:2020-11-25
Applicant: 哈尔滨工业大学 , 上海易推动力科技有限公司
IPC: F03H1/00
Abstract: 霍尔推力器导热支架及含有该支架的霍尔推力器,涉及霍尔推力器的散热结构。本发明是为了解决现有高比冲高功率霍尔推力器热稳定性差的问题。本发明所述的霍尔推力器导热支架,包括长度相同且同轴内外嵌套设置的两个圆筒,两个圆筒的同一端通过底板相连,底板上设有多个通孔,两个圆筒的筒壁上均开有多条一端开口且另一端封闭的缝隙,多条缝隙沿所在圆筒周向均匀排布、且缝隙走向与所在圆筒轴向相同,缝隙的开口端与所在圆筒的开口端贯通。本发明将大部分壁面沉积热流传导至霍尔推力器散热能力较强的外部构件上,减小霍尔推力器内部磁路热量沉积,并增强其整体散热能力,最终提高霍尔推力器的整体热稳定性。
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公开(公告)号:CN108307576B
公开(公告)日:2020-02-21
申请号:CN201810209917.0
申请日:2018-03-14
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H05H1/10
Abstract: 本发明涉及一种磁聚焦霍尔推力器长寿命设计下的磁路结构设计方法,属于霍尔推力器设计技术领域。所述方法首先将陶瓷放电通道壁面厚度、内磁屏和外磁屏的厚度均增加,提高推力器使用寿命,然后将陶瓷放电通道壁面后段调整为分段式结构或使减少陶瓷放电通道后段的陶瓷放电通道壁面的厚度,最终实现降低励磁效率损失。在设计结构中,内磁屏和外磁屏采用高导磁率、低热膨胀系数的软磁铁氧体材料替代DT4C纯铁。
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