公开(公告)号：CN108920839A

公开(公告)日：2018-11-30

申请号：CN201810726726.1

申请日：2018-07-04

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 翟国富 ,  郑博恺 ,  司爽 ,  林义刚 ,  叶雪荣

IPC: G06F17/50

Abstract: 本发明公开了一种结合工艺及可靠性框图的滚控电子模块贮存可靠性评估方法，所述方法首先通过建立滚控电子模块功能仿真模型，结合厂家调研结果，利用灵敏度分析方法确定影响滚控电子模块输出特性的底层关键元器件；然后，结合失效模式及失效机理分析、输出特性参数初始分布及加速贮存退化试验实测数据，得到具有分布特性的底层关键元器件贮存退化数据；最后，结合失效阈值及所建立的滚控电子模块可靠性框图中，得到滚控电子模块贮存可靠度。本发明解决了小子样问题下滚控电子模块贮存可靠性评估准确度低的问题，为滚控电子模块的贮存可靠性评估提供了一种新的思路。

公开(公告)号：CN108897961A

公开(公告)日：2018-11-27

申请号：CN201810726731.2

申请日：2018-07-04

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 翟国富 ,  叶雪荣 ,  郑博恺 ,  司爽 ,  林义刚

IPC: G06F17/50

CPC classification number: G06F17/5009

Abstract: 本发明公开了一种结合工艺及可靠性框图的电子类单机贮存可靠性评估方法，所述方法通过EDA仿真模型及多物理场耦合模型对电子类单机进行描述，建立电子类单机功能仿真模型，结合厂家调研结果，利用灵敏度分析方法确定影响电子类单机输出特性参数的关键底层单元；然后，对关键底层单元进行失效模式及失效机理分析，结合底层单元工艺数据及加速贮存试验中实测的贮存退化数据，建立具有分布特性的底层单元贮存退化模型；最后，通过可靠性框图对电子类单机结构特征进行描述，并将各底层单元贮存失效率注入其中，完成电子类单机贮存可靠性评估。本发明解决了因进行加速贮存试验时电子类单机样本量过小，而导致的贮存可靠性评估结果准确度较低的问题。

公开(公告)号：CN109033556A

公开(公告)日：2018-12-18

申请号：CN201810726728.0

申请日：2018-07-04

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 叶雪荣 ,  林义刚 ,  郑博恺 ,  司爽 ,  翟国富

IPC: G06F17/50

Abstract: 本发明公开了一种结合工艺及可靠性框图的继电器类单机贮存可靠性评估方法，所述方法将从厂家调研的工艺数据注入到所建立的继电器有限元仿真模型中，得到其输出特性初始分布特性；通过分析继电器类单机实际出现的失效模式及失效机理，建立基于失效物理的退化模型，结合继电器初始分布特性及加速贮存退化试验实测数据，得到具有分布特性的继电器输出特性退化模型；将失效阈值带入继电器输出特性退化模型中，得到继电器贮存可靠度数据，并带入所建立的继电器类单机贮存可靠性框图中，实现对继电器类单机贮存可靠度的评估。本发明解决了小子样问题下继电器类单机贮存可靠性评估准确度低的问题。

公开(公告)号：CN108984882A

公开(公告)日：2018-12-11

申请号：CN201810726727.6

申请日：2018-07-04

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 翟国富 ,  郑博恺 ,  司爽 ,  林义刚 ,  叶雪荣

IPC: G06F17/50

Abstract: 本发明公开了一种结合制造工艺及仿真的滚控电子模块贮存可靠性评估方法，所述方法首先通过建立滚控电子模块功能仿真模型，结合厂家调研结果，利用灵敏度分析方法确定影响滚控电子模块输出特性的底层关键元器件；然后结合失效模式及失效机理分析、输出特性参数初始分布及加速贮存退化试验实测数据，得到具有分布特性的底层关键元器件贮存退化数据，并将其注入滚控电子模块功能仿真模型中，得到滚控电子模块输出特性参数的贮存退化数据；最后利用最小二乘方法，得到滚控电子模块分布参数的退化轨迹，结合失效阈值，实现对滚控电子模块的贮存可靠性评估。本发明为滚控电子模块的贮存可靠性评估提供了一种新的思路。

公开(公告)号：CN108984881A

公开(公告)日：2018-12-11

申请号：CN201810725454.3

申请日：2018-07-04

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 翟国富 ,  叶雪荣 ,  郑博恺 ,  司爽 ,  林义刚

IPC: G06F17/50

Abstract: 本发明公开了一种结合制造工艺及仿真的电子类单机贮存可靠性评估方法，所述方法通过EDA仿真模型及多物理场耦合模型对电子类单机进行描述，建立电子类单机功能仿真模型，结合厂家调研结果，利用灵敏度分析方法确定影响电子类单机输出特性参数的关键底层单元，并对其进行失效模式及失效机理分析，结合关键底层单元工艺数据及加速贮存试验中实测的贮存退化数据，建立关键底层单元贮存退化模型，将其带入电子类单机功能仿真模型中得到电子类单机输出特性参数的贮存退化数据，利用最小二乘方法得到电子类单机输出特性参数的贮存退化模型，带入失效阈值，完成电子类单机贮存可靠性评估。本发明为电子类单机的贮存可靠性评估提供了一种新的思路。

公开(公告)号：CN109033555A

公开(公告)日：2018-12-18

申请号：CN201810725455.8

申请日：2018-07-04

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 翟国富 ,  林义刚 ,  郑博恺 ,  付饶 ,  司爽

IPC: G06F17/50

CPC classification number: G06F17/5018

Abstract: 本发明公开了一种结合制造工艺及仿真的继电器类单机贮存可靠性评估方法，所述方法通过建立继电器有限元仿真模型，结合工艺数据，获得继电器输出特性初始分布；然后，通过对继电器进行失效模式及失效机理分析，结合继电器输出特性初始分布及贮存退化试验实测数据，建立具有分布特性的继电器贮存退化模型，结合电路仿真分析方法将底层继电器的贮存退化数据转换为继电器类单机贮存退化数据；最后，利用最小二乘方法，得到继电器类单机分布参数的退化轨迹，结合失效阈值，实现对继电器类单机的贮存可靠性评估。本发明解决了因试验经费及试验样本制约而导致的继电器类单机贮存可靠性评估精度较低的问题。