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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111960827A
公开(公告)日：2020-11-20
申请号：CN202010876714.4
申请日：2020-08-27
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/58 , C04B35/626
Abstract: 本发明提供了一种多元BCN系高熵陶瓷粉体及其制备方法，涉及陶瓷粉体材料技术领域，所述多元BCN系高熵陶瓷粉体的制备方法，包括：将非金属陶瓷粉体与过渡金属均匀混合后经高能球磨后得到多元BCN系高熵陶瓷粉体。与现有技术比较，本发明一种多元BCN系高熵陶瓷粉体制备方法操作简单，可在常温下制备出具有单相面心立方结构的高熵陶瓷粉体，避免了其他制备工艺需要高温处理的步骤，且晶粒尺寸在5-20nm，粉体纯度高，同时具有较高的热稳定性，其中四元、五元高熵陶瓷粉体在1300℃保温30min仍可保持晶粒细小的单相固溶体结构。
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公开(公告)号：CN116477952B
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202310515235.3
申请日：2023-05-09
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/56 , C04B35/58 , C04B35/622 , C04B35/645 , C04B35/626
Abstract: 一种碳化钽铪‑硅硼碳氮陶瓷扩散偶的制备方法，它涉及扩散偶的制备方法。本发明要解决现有Ta4HfC5/SiBCN陶瓷扩散偶难以结合，界面结合强度差，扩散行为不明显的问题。制备方法：一、高能球磨制备非晶相SiBCN粉体；二、粉体装填至模具；三、热压烧结。本发明用于碳化钽铪‑硅硼碳氮陶瓷扩散偶的制备。
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公开(公告)号：CN111960827B
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN202010876714.4
申请日：2020-08-27
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/58 , C04B35/626
Abstract: 本发明提供了一种多元BCN系高熵陶瓷粉体及其制备方法，涉及陶瓷粉体材料技术领域，所述多元BCN系高熵陶瓷粉体的制备方法，包括：将非金属陶瓷粉体与过渡金属均匀混合后经高能球磨后得到多元BCN系高熵陶瓷粉体。与现有技术比较，本发明一种多元BCN系高熵陶瓷粉体制备方法操作简单，可在常温下制备出具有单相面心立方结构的高熵陶瓷粉体，避免了其他制备工艺需要高温处理的步骤，且晶粒尺寸在5‑20nm，粉体纯度高，同时具有较高的热稳定性，其中四元、五元高熵陶瓷粉体在1300℃保温30min仍可保持晶粒细小的单相固溶体结构。
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公开(公告)号：CN111217610A
公开(公告)日：2020-06-02
申请号：CN201910532639.7
申请日：2019-06-19
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/58 , C04B35/645
Abstract: 本发明提供了一种纳米晶碳化钽增强硅硼碳氮复相陶瓷材料及其制备方法，上述制备方法包括以下步骤：S1：制备纳米晶碳化钽粉体；S2：按照预设比例将所述纳米晶碳化钽粉体、六方氮化硼、立方硅粉和石墨混合，后高能球磨，得到复合粉体；S3：将复合粉体热压烧结，制得纳米晶碳化钽增强硅硼碳氮复相陶瓷材料。本发明以硅硼碳氮陶瓷为基体，添加碳化钽增强相制备成纳米晶碳化钽增强硅硼碳氮复相陶瓷材料，超高温相碳化钽颗粒以纳米晶的形式均匀分散于非晶的硅硼碳氮基体当中，可起到钉扎裂纹扩展的作用，提高硅硼碳氮陶瓷的力学性能，同时碳化钽的超高温性质对硅硼碳氮陶瓷进行补强，提高复相陶瓷材料的耐高温性能，使其在可在更高的温度下服役。
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公开(公告)号：CN116477952A
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN202310515235.3
申请日：2023-05-09
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/56 , C04B35/58 , C04B35/622 , C04B35/645 , C04B35/626
Abstract: 一种碳化钽铪‑硅硼碳氮陶瓷扩散偶的制备方法，它涉及扩散偶的制备方法。本发明要解决现有Ta4HfC5/SiBCN陶瓷扩散偶难以结合，界面结合强度差，扩散行为不明显的问题。制备方法：一、高能球磨制备非晶相SiBCN粉体；二、粉体装填至模具；三、热压烧结。本发明用于碳化钽铪‑硅硼碳氮陶瓷扩散偶的制备。
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