公开(公告)号：CN102197317B

公开(公告)日：2013-06-05

申请号：CN200980142809.5

申请日：2009-10-26

Applicant: 古野电气株式会社

Inventor： 藤泽奈绪美 ,  山田胜雄 ,  后藤阳儿 ,  中村拓

IPC: G01S19/37

CPC classification number: G01S19/32 ,  G01S19/43

Abstract: 利用组合载波平滑后的伪距的校正方法高精度地校正伪距。电码伪距校正部(19)，以L1载波相位的时间变化量ΔADRL1(i)载波平滑L1电码伪距PRL1(i)，且以载波电离层延迟的时间变化量ΔIADRL1(i)载波校正电码电离层延迟IPRL1(i)。电码伪距校正部(19)，通过从平滑处理后L1电码伪距PRL1sm(i)减去校正后电离层延迟I′L1sm(i)进行电离层延迟校正。此时，电码伪距校正部(19)使在L1载波相位的时间变化量ADRL1(i)所含的载波电离层延迟的时间变化量ΔIADRL1(i)的延迟方向和在校正后电离层延迟I′L1sm(i)的算出所用的载波电离层延迟的时间变化量ΔIADRL1(i)的延迟方向相一致。

公开(公告)号：CN102197317A

公开(公告)日：2011-09-21

申请号：CN200980142809.5

申请日：2009-10-26

Applicant: 古野电气株式会社

Inventor： 藤泽奈绪美 ,  山田胜雄 ,  后藤阳儿 ,  中村拓

IPC: G01S19/37

CPC classification number: G01S19/32 ,  G01S19/43

Abstract: 利用组合载波平滑后的伪距的校正方法高精度地校正伪距。电码伪距校正部(19)，以L1载波相位的时间变化量ΔADRL1(i)载波平滑L1电码伪距PRL1(i)，且以载波电离层延迟的时间变化量ΔIADRL1(i)载波校正电码电离层延迟IPRL1(i)。电码伪距校正部(19)，通过从平滑处理后L1电码伪距PRL1sm(i)减去校正后电离层延迟I′L1sm(i)进行电离层延迟校正。此时，电码伪距校正部(19)使在L1载波相位的时间变化量ADRL1(i)所含的载波电离层延迟的时间变化量ΔIADRL1(i)的延迟方向和在校正后电离层延迟I′L1sm(i)的算出所用的载波电离层延迟的时间变化量ΔIADRL1(i)的延迟方向相一致。